半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种使用氧化物半导体来形成的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
用于液晶显示装置等的有源矩阵基板，每个像素具有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下，“TFT”)等开关元件。作为这样的开关元件，有已知使用氧化物半导体层作为活性层的TFT(以下称为“氧化物半导体TFT”)。专利文献1中公开了将InGaZnO(由铟、镓、锌构成的氧化物)用于TFT的活性层的液晶显示装置。氧化物半导体TFT能够比非晶硅TFT更高速地动作。此外，氧化物半导体膜能通过比多晶硅膜更简便的工序形成，因此也可以应用于需要大面积的装置。因此，氧化物半导体TFT作为抑制制造工序数量和制造成本、可制造的高性能有源元件而受到期待。此外，由于氧化物半导体的迁移率高，因此与非晶硅TFT相比，即便将尺寸小型化，也可以获得同等以上的性能。因此，若使用氧化物半导体TFT来制作显示装置的有源矩阵基板，可以使像素内的TFT的占有面积率降低，使像素开口率提高。因此，即便抑制背光的光量，也可以进行明亮显示，从而可以实现低耗电。此外，因为氧化物半导体TFT的截止漏电特性优良，所以也可以利用使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，其支撑于所述基板，且具有栅极、氧化物半导体层、形成于所述栅极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及与所述氧化物半导体层电性连接的源极及漏极；所述栅极绝缘层包含由所述氧化物半导体层覆盖的第一部分以及与所述第一部分邻接且未由所述氧化物半导体层、所述源极以及所述漏极的任一者覆盖的第二部分；所述第二部分较所述第一部分薄，且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.28 JP 2014-2425381.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，其支撑于所述基板，且具有栅极、氧化物半导体层、形成于所述栅极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及与所述氧化物半导体层电性连接的源极及漏极；所述栅极绝缘层包含由所述氧化物半导体层覆盖的第一部分以及与所述第一部分邻接且未由所述氧化物半导体层、所述源极以及所述漏极的任一者覆盖的第二部分；所述第二部分较所述第一部分薄，且所述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极绝缘层包含与所述栅极相接的下层绝缘层、设置于所述下层绝缘层上的上层绝缘层；所述第二部分中的所述上层绝缘层的厚度小于所述第一部分中的所述上层绝缘层的厚度，且所述第二部分中的所述下层绝缘层的厚度与所述第一部分中的所述下层绝缘层的厚度相同。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极绝缘层包含与所述栅极相接的下层绝缘层和设置于所述下层绝缘层上的上层绝缘层；所述上层绝缘层被设置于所述第一部分，没有被设置在所述第二部分中。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：所述上层绝缘层为硅氧化物层，所述下层绝缘层为硅氮化物层。5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：在由所述氧化物半导体层覆盖的所述栅极绝缘层的所述第一部分中，所述上层绝缘层的厚度为25nm以上450nm以下，所述下层绝缘层的厚度为25nm以上500nm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：保护层，其覆盖所述氧化物半导体层、所述源极以及漏极；所述保...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池哲郞，今井元，越智久雄，藤田哲生，北川英树，铃木正彦，川岛慎吾，大东彻，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP