薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及激光退火装置制造方法及图纸

本发明专利技术是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及激光退火装置
本专利技术涉及具备多晶硅薄膜的半导体层的薄膜晶体管，特别是涉及想要以简单的工艺实现能降低漏电流的结构的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及激光退火装置。
技术介绍
一般地，薄膜晶体管(以下称为“TFT(ThinFilmTransistor)”)具有在基板上层叠地具备栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层的结构。在该情况下，采用多晶硅薄膜作为半导体层的TFT的电子迁移率高，用于低功耗的显示器。多晶硅薄膜的半导体层是通过对覆盖基板的整个面的非晶硅薄膜的至少与栅极电极对应的区域均匀地进行激光退火处理而使其多晶硅化从而形成的。在该情况下，与源极电极和漏极电极分别对应的区域的非晶硅薄膜也与源极电极和漏极电极间的沟道区域同样被进行退火处理而成为多晶硅薄膜，因此存在电极间的电场强度变高而TFT截止时的漏电流变大的问题。为了应对该问题，现有的TFT采用了对在对应于沟道区域和源极电极的区域与对应于沟道区域和漏极电极的区域之间的多晶硅薄膜注入杂质而使其与沟道区域相比为较低浓度的LDD(LightlyDopedDrain：轻掺杂漏极)结构(例如，参照专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，在基板上层叠地具备栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层，其特征在于，上述半导体层是多晶硅薄膜，与上述源极电极和上述漏极电极分别对应的区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径比被上述源极电极和上述漏极电极夹着的沟道区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.25 JP 2014-2382021.一种薄膜晶体管，在基板上层叠地具备栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层，其特征在于，上述半导体层是多晶硅薄膜，与上述源极电极和上述漏极电极分别对应的区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径比被上述源极电极和上述漏极电极夹着的沟道区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径小。2.一种薄膜晶体管的制造方法，是在基板上层叠地具备栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含激光退火工序，在上述激光退火工序中，对覆盖在上述基板上的非晶硅薄膜的至少与上述栅极电极对应的区域照射激光而使其成为多晶硅薄膜，形成上述半导体层，上述激光退火工序是以比被上述源极电极和上述漏极电极夹着的沟道区域少的照射量对与上述源极电极和上述漏极电极分别对应的区域照射激光而实施的，使得与上述源极电极和上述漏极电极分别对应的区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径比上述沟道区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径小。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，上述激光退火工序是将照射形状被整形为与上述沟道区域相同的形状的激光的照射位置以照射部一部分重叠的状态从与上述栅极电极对应的区域内的上述源极电极侧或上述漏极电极侧的一端朝向另一端步进移动而实施的。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在以上述激光的n次照射(n为3以上的整数)实施上述激光退火的情况下，上述激光的照射位置的步进移动量等于上述沟道区域在上述源极电极和上述漏极电极的相对方向上的宽度的1/n。5.一种激光退火装置，对在基板上层叠地具备...

【专利技术属性】
技术研发人员：水村通伸，畑中诚，木口哲也，
申请(专利权)人：株式会社V技术，
类型：发明
国别省市：日本,JP