半导体装置、其制造方法、显示装置以及显示模块制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电特性的变动被抑制且可靠性得到提高的包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的源电极；电连接于氧化物半导体膜的漏电极；以及氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜。第二绝缘膜具有包含卤素的区域，并且，在该区域中卤素以其浓度向第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、其制造方法、显示装置以及显示模块
本专利技术的一个实施方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术涉及一种方法、机器、产品或者组合物。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
技术介绍
通过使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来形成晶体管(也称为场效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子设备。以硅为代表的半导体材料广泛已知为可以在晶体管中使用的半导体薄膜材料。作为其他材料，氧化物半导体受到关注(参照专利文献1)。例如，专利文献2所公开的半导体装置如下：接触于氧化物半导体层的绝缘层包含卤素，并且，该卤素从氧化物半导体层中排除氢或水分等杂质，而降低氧化物半导体层中的杂质浓度。此外，例如专利文献3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；以及所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜包括包含卤素的区域，并且，在所述区域中所述卤素以其浓度向所述第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.20 JP 2014-2134361.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；以及所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜包括包含卤素的区域，并且，在所述区域中所述卤素以其浓度向所述第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述卤素为氟。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述卤素通过二次离子质谱分析法被检测出。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中通过热脱附谱分析法从所述第二绝缘膜中检测出大于或等于8.0×1014/cm2的氧分子。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含氧、In、Zn及M，并且M是Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包括结晶部，并且所述结晶部具有c轴取向性并包括c轴平行于形成有所述氧化物半导体膜的表面的法线向量的部分。7.一种显示装置，包括：权利要求1所述的半导体装置；以及显示元件。8.一种显示模块，包括：权利要求9所述的显示装置；以及触摸传感器。9.一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜；以及所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜包...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP