横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法，该横向扩散金属氧化半导体元件的制作方法包括：提供基底，基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层。图案化第二导体层，以形成导体结构。于导体结构的一侧的第一导体层与介电层中形成第一沟槽。以导体结构作为掩模，移除第一导体层与第一沟槽所暴露的部分基底，以形成栅极结构与第二沟槽。于栅极结构的一侧的基底中形成第一导电型的第一阱区。于栅极结构的另一侧的基底中形成第二导电型的第二阱区。于栅极结构的侧壁形成间隙壁，间隙壁填满所述第二沟槽。于栅极结构的两侧的基底中形成漏极区及源极区。

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

The invention discloses a laterally diffused metal oxide semiconductor element and manufacturing method thereof, including the fabrication method of the transverse diffusion metal oxide semiconductor element: providing a substrate, the substrate is sequentially forming a dielectric layer, a first conductor layer, an adhesive layer and a second conductive layer. A second conductor layer is patterned to form a conductor structure. The first conductor layer on one side of the conductor structure forms a first groove in the dielectric layer. The conductor structure is used as a mask to remove the partial substrate exposed by the first conductor layer and the first groove to form a gate structure and a second trench. A first well region of a first conductivity type is formed in a substrate on one side of the gate structure. A second conduction type second well region is formed in the base of the other side of the gate structure. A gap wall is formed on the sidewalls of the gate structure, and the gap wall fills the second groove. A drain region and a source region are formed in the substrate on both sides of the gate structure.

【技术实现步骤摘要】
横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种横向扩散金氧半导体元件及其制造方法。
技术介绍
横向扩散金氧半导体(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor,LDMOS)元件是一种典型的高压元件，其可与互补式金氧半导体制作工艺整合，由此在单一芯片上制造控制、逻辑以及电源开关。LDMOS元件在操作时必须具有高击穿电压(breakdownvoltage)以及低开启电阻(on-stateresistance，Ron)。具有高击穿电压以及低开启电阻的LDMOS元件在高压应用时具有较低的功率损耗。此外，较低的开启电阻则可以使得晶体管在饱和状态时具有较高的漏极电流由此增加元件的操作速度。然而，目前的LDMOS晶体管的击穿电压无法进一步上升且开启电阻也无法进一步下降，以获得更佳的元件特性。故目前极需一种具有高击穿电压及/或低开启电阻的LDMOS晶体管，以提升LDMOS晶体管的元件特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种横向扩散金氧半导体元件的制造方法，可制作出具有高击穿电压及/或低开启电阻的横向扩散金氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，包括：提供基底，所述基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层；图案化所述第二导体层，以形成导体结构；在所述导体结构的第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成第一沟槽；以所述导体结构作为掩模，移除所述第一导体层与所述第一沟槽所暴露的部分所述基底，以形成栅极结构与第二沟槽，所述第二沟槽形成于所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中；在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成第一导电型的第一阱区；在所述栅极结构的第二侧的所述基底中形成第二导电型的第二阱区，其中所述第二侧与所述第一侧相对；在所述栅极结构的侧壁形成间隙壁，所述间隙壁填满所述第二沟槽...

【技术特征摘要】
2016.01.20 TW 1051017411.一种横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，包括：提供基底，所述基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层；图案化所述第二导体层，以形成导体结构；在所述导体结构的第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成第一沟槽；以所述导体结构作为掩模，移除所述第一导体层与所述第一沟槽所暴露的部分所述基底，以形成栅极结构与第二沟槽，所述第二沟槽形成于所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中；在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成第一导电型的第一阱区；在所述栅极结构的第二侧的所述基底中形成第二导电型的第二阱区，其中所述第二侧与所述第一侧相对；在所述栅极结构的侧壁形成间隙壁，所述间隙壁填满所述第二沟槽；以及在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成漏极区，并于所述栅极结构的所述第二侧的所述基底中形成源极区。2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中于所述导体结构的所述第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成所述第一沟槽，包括：在所述导体结构的侧壁形成牺牲间隙壁；移除所述导体结构的所述第一侧的所述牺牲间隙壁以及部分所述粘着层，以于所述粘着层中形成开口；移除所述导体结构的所述第二侧的所述牺牲间隙壁；以及移除所述开口所暴露的所述第一导体层与所述介电层。3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述牺牲间隙壁的材料包括氮氧化硅、氧化硅或氮化硅。4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，还包括：在所述栅极结构与所述漏极区之间的所述基底中形成第一淡掺杂区，并于所述栅极结构与所述源极区之间的所述基底中形成第二淡掺杂区。5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第一淡掺杂区环绕所述第二沟槽的周围。6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型；或所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，还包括：在形成所述间隙壁之前，于所述栅极结构的两侧以及所述第二沟槽上形成衬氧化层。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子嵩，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71