薄膜晶体管的制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管中，在由铜形成的源极、漏极之后，源极和漏极易与氧气及水分接触发生氧化，从而影响薄膜晶体管的膜层间接触电阻及性能的问题。本发明专利技术的薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板的上方沉积合金材料层，并对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层。

Method for producing thin film transistor and display device

The invention provides a preparation method of a thin film transistor and display device, belonging to the field of display technology, which can solve the existing thin film transistor, after the formation of copper from the source, drain, source and drain easily with oxygen and water contact oxidation, thus affecting the contact resistance of coating thin film transistor the problem. The preparation method includes thin film transistor of the present invention: the alloy material layer is deposited over the substrate, and the alloy material layer and at least to form the source and drain the corresponding position of the precipitation process and the composition process, form the source and drain and is located in the source, leakage protection on the floor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管的制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术不断发展，人们对于高分辨率、高色彩度以及高清晰度的显示屏的需求愈发强烈。为了提高面板的响应时间以及降低功耗，在薄膜晶体管中多选择电阻率较小的铜及银等金属作为栅极、源极和漏极。以铜为例，铜具有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力，可满足显示终端大尺寸、高分辨率及高驱动频率的要求。但是，因铜本身的活泼性的影响，在对铜进行刻蚀后，易与氧气及水分接触发生氧化，从而影响薄膜晶体管的膜层间接触电阻及性能。因此，在栅极、源极和漏极采用铜的薄膜晶体管的制造中，如何防止铜的氧化及稳定铜电极性能对本领域技术人员来说十分重要。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够对由铜形成的源极、漏极进行保护，以避免其被氧气及水分氧化的薄膜晶体管的制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板的上方沉积合金材料层，并对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的上方沉积合金材料层，并对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的上方沉积合金材料层，并对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层包括：对所述合金材料层进行析出处理，形成金属膜层和位于所述金属膜层上方的保护膜层；通过对所述金属膜层和保护膜层进行构图工艺，形成包括源极、漏极和保护层的图形。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述合金材料层至少与待形成源极、漏极对应的位置进行析出处理工艺以及构图工艺，以形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上的保护层包括：通过构图工艺，形成图案化的合金材料层；对所述图案化的合金材料层进行析出处理，形成源极、漏极和位于所述源极、漏极上方的保护层。4.根据权利要求1至3任意一项所述的薄膜晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，汪建国，路达，刘清召，班圣光，董水浪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11