一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法。该薄膜晶体管制备方法包括在基底上形成有源层膜；还包括：采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极。该薄膜晶体管制备方法通过采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极，能够省去源极和漏极在制备过程中的湿法刻蚀和剥离工艺，从而避免湿法刻蚀和剥离工艺中水对金属氧化物材料形成的有源层的损伤，进而能够保护金属氧化物材料的有源层的薄膜晶体管的电学特性，同时由于源极和漏极能够透光，所以还增加了采用该薄膜晶体管的阵列基板的像素单元的开口率，从而降低了采用该薄膜晶体管的显示器的背光能耗。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法。
技术介绍
随着信息技术的发展，人们对显示产品提出了更高的要求，比如分辨率高、亮度高、响应时间快和能耗低。透明金属氧化物有源层的薄膜晶体管能够实现显示产品的上述优势，因此，透明金属氧化物材料在下一代液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示中的应用越来越受到人们的关注。现有技术在制作氧化物薄膜晶体管时，由于氧化物薄膜晶体管的氧化物有源层的材料是金属氧化物，其稳定性容易受到湿法刻蚀环境中氧气、氢气及水的影响。目前使用最多的是信号线和源漏极材料使用铜及其阻挡金属的复合层，该信号线和源漏极材料使用双氧水作为刻蚀液主要成分。这样可以减少对金属氧化物有源层的刻蚀损伤。但是，即使是使用目前工艺相对比较成熟的铜工艺，目前广泛使用的背沟道刻蚀型BCE(BackChannelEtchedType，BCE)技术也存在以下问题：由于仍然存在湿法刻蚀的工艺过程，刻蚀中的水难免会对有源层，特别是有源层沟道造成很大的损伤，继而造成薄膜晶体管电学特性的劣化。另外，背沟道刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成有源层膜；其特征在于，还包括：采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成有源层膜；其特征在于，还包括：采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述有源层膜之后，且在形成所述源极和所述漏极之前还包括：通过曝光工艺在所述基底上形成有源层的图形。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极包括：在形成所述有源层的图形的所述基底上涂布透明导电光刻胶膜；预固化所述透明导电光刻胶膜；对所述透明导电光刻胶膜进行曝光和显影，以形成包括所述源极和所述漏极的图形；对所述源极和所述漏极进行后固化。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述采用透明导电光刻胶形成所述薄膜晶体管的源极和漏极包括：在形成所述有源层膜的所述基底上涂布透明导电光刻胶膜；预固化所述透明导电光刻胶膜；对所述透明导电光刻胶膜进行灰度掩膜工艺，去除对应所述有源层图形以外区域的所述透明导电光刻胶膜，部分保留对应所述有源层的沟槽的所述透明导电光刻胶膜，保留对应所述源极和所述漏极图形的所述透明导电光刻胶膜；采用湿刻工艺制备形成所述有源层的图形；通过干刻工艺去除对应所述有源层的所述沟槽的所述透明导电光刻胶膜，同时减薄对应所述源极和所述漏极图形的所述透明导电光刻胶膜，以形成所述源极和所述漏极的图形。5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述涂布透明导电光刻胶膜包括：通过狭缝涂布方式或者旋涂方式在所述基底上涂布形成所述透明导电光刻胶膜；所述透明导电光刻胶膜的厚度范围为0.2～2.0μm。6.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，预固化所述透明导电光刻胶膜的温度范围为100～110℃，预固化时间为50～80秒。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐德智，段献学，宫奎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11