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本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板的制备方法。该薄膜晶体管制备方法包括在基底上形成有源层膜；还包括：采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极。该薄膜晶体管制备方法通过采用透明导电光刻胶形成薄膜晶体管的源极和漏极，能够省去源极...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司授权不得商用。