一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法技术
Method for manufacturing high carrier mobility MOSFET
The present invention provides a method for manufacturing the high carrier mobility rate of MOSFET, the deposition process of the interlayer dielectric layer before joining a photolithography and etching process, the etching window the lithography process for the formation of the two, the etching window respectively will expose the source / drain region near the side of the part of the stack area the gate of the exposed region; and etching the source / drain region is formed in the concave area near the side of the gate stack area, the recessed area depth does not exceed the depth of the source / drain region, and if the semiconductor is N type, the silicon nitride deposition process by deposition process the preparation of tensile stress of silicon nitride, if the semiconductor is P type, the silicon nitride deposition process prepared by compressive stress in silicon nitride deposition process. The process of the conventional MOSFET process is only added with photolithography and etching steps, and the stress layer is introduced to both sides of the channel region to improve the mobility of carriers in the channel region, and the application is convenient.
【技术实现步骤摘要】
一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件领域的制备方法，具体而言，涉及到一种可提高MOSFET沟道载流子迁移率的制造方法。
技术介绍
在当前的集成电路领域，随着业界对MOSFET性能要求的不断提高，传统MOSFET沟道载流子的迁移率较小的问题日益引起关注。在提高MOSFET沟道载流子的迁移率的工艺中，采用在沟道两端制备应力层材料的方法将应力引入沟道以提高迁移率目前成为一种可行的技术选择。但较传统MOSFET制备工艺而言，采用上述技术选择通常会显著增加工艺步骤，使工艺流程变复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种MOSFET的制备方法，其利用在沉积层间介质层的同时将层间介质层引入沟道两端的方法，在保证将应力引入沟道以提高载流子迁移率的同时，较传统制备MOSFET的工艺流程只增加了一次光刻、刻蚀工艺，因此在工艺上具有较好的应用价值。本专利技术可以通过以下技术方案来实现：提供半导体衬底；在衬底中形成的隔离区和包括沟道区的有源区，以及在沟道区上方形成的栅极叠层；形成源/漏区；进行层间介质层的沉积，所述层间介质层分别为氮化硅层和二氧化硅层；...
【技术保护点】
一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成的隔离区和包括沟道区的有源区，以及在沟道区上方形成的栅极叠层；形成源/漏区；进行层间介质层的沉积，所述层间介质层分别为氮化硅层和二氧化硅层；在层间介质层上进行制备引线孔、沉积导电材料、化学机械平坦化。其特征在于：在进行氮化硅层的沉积工艺前，加入一光刻工艺和刻蚀工艺，所述光刻工艺形成的刻蚀窗口为两个，所述刻蚀窗口分别将源/漏区靠近栅极叠层一侧的区域部分的暴露；然后对所述暴露区域进行刻蚀使源/漏区在靠近栅极叠层一侧的部分区域形成凹陷区，所述凹陷区域的深度不超过源/漏区的深度，且若所述半导体为N型...
【技术特征摘要】
1.一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成的隔离区和包括沟道区的有源区，以及在沟道区上方形成的栅极叠层；形成源/漏区；进行层间介质层的沉积，所述层间介质层分别为氮化硅层和二氧化硅层；在层间介质层上进行制备引线孔、沉积导电材料、化学机械平坦化。其特征在于：在进行氮化硅层的沉积工艺前，加入一光刻工艺和刻蚀工艺，所述光刻工艺形成的刻蚀窗口为两个，所述刻蚀窗口分别将源/漏区靠近栅极叠层一侧的区域部分的暴露；然后对所述暴露区域进行刻蚀使源/漏区在靠...
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