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本发明提供一种高载流子迁移率MOSFET的制造方法，其在进行层间介质层的沉积工艺前，加入一光刻工艺和刻蚀工艺，所述光刻工艺形成的刻蚀窗口为两个，所述刻蚀窗口分别将源/漏区靠近栅极叠层一侧的区域部分的暴露；然后对所述暴露区域进行刻蚀使源/漏区...
该专利属于枣庄学院所有，仅供学习研究参考，未经过枣庄学院授权不得商用。

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