MOS管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种MOS管的制作方法，该方法包括：在硅衬底上制作第一结构；在P阱区和N阱区的交界处形成第二氧化层；在P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，P型场区注入区位于第二氧化层的下表面；去掉第一氧化层和氮化硅层。由于本发明专利技术首先形成第二氧化层，因此在第二氧化层的热生长时，P型场区注入区和抗穿通注入区还没有形成，由此避免了这两个注入区中的P型离子不会扩散到P阱区中的其他区域，避免了对器件性能的影响。同时，本发明专利技术在进行离子注入形成P型场区注入区和防穿通注入区时，第二氧化层的热生长已经完成，因此避免了“吸硼排磷”效应的发生，进而避免P型场区注入区的P型离子进入第二氧化层中降低P型场区注入区的效果。

Method for making MOS tube

The invention relates to a manufacturing method of a MOS tube, the method includes: making the first structure on a silicon substrate; at the junction of P trap and N trap forming second oxide layer; P type field injection region and anti penetrating into the region is formed in the P well region, P type field injection the surface area is located in the second oxidation layer; removing the first oxide layer and the silicon nitride layer. The invention first formed second oxide layer, so the thermal growth in second oxidation layer, P type field injection region and anti penetrating into the region has not been formed, thus avoiding the two injection of P ion in the region do not spread to other areas of P well area, avoid the influence of the device the performance of the. At the same time, the invention in ion implantation to form P type field injection region and anti penetrating into the region, second thermally grown oxide layer has been completed, so as to avoid the \absorption of boron phosphorus\ effect, so as to avoid P type field injection type P ion region into second oxide layers of lower P field effect type injection region.

【技术实现步骤摘要】
MOS管的制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其是涉及一种MOS管的制作方法。
技术介绍
在半导体芯片制造领域，传统的MOS管制作方法中包括P型场区注入区和防穿通注入区的形成过程，该过程包括以下步骤：步骤a、通过离子注入工艺在硅衬底1中制作如图1中所示的准N阱区2；步骤b、通过离子注入工艺在硅衬底中制作如图2中所示的准P阱区3；步骤c、通过驱入工艺加深阱区的深度，得到如图3中的N阱区2'和P阱区3'；步骤d、在N阱区2'和P阱区3'上形成第一氧化层4，并在第一氧化层上形成氮化硅层5，得到图4所示的结构；步骤e、通过光刻工艺刻蚀N阱区和P阱区交界处所对应的氮化硅层，得到图5所示的氮化硅层5'；步骤f、通过光刻工艺在N阱区2'对应的上表面形成光刻胶层6，得到图6所示的结构；步骤g、向P阱区内靠近N阱区的位置注入第一深度的P型离子，形成P型场区注入区7；在P阱区内注入第二深度的P型离子，形成防穿通注入区8，其中第二深度大于第一深度；然后将光刻胶层去掉，得到图7所示的结构；步骤h、利用热生长工艺在N阱区和P阱区交界处形成第二氧化层9，得到如图8所示的结构；步骤i、将第一氧化层4和氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上制作第一结构，所述第一结构包括在所述硅衬底上形成的P阱区和N阱区、覆盖所述P阱区上表面和N阱区上表面的第一氧化层及形成于所述第一氧化层之上的氮化硅层，且与所述P阱区和所述N阱区交界处所对应的第一氧化层露出所述氮化硅层；在所述P阱区和所述N阱区的交界处形成第二氧化层；在所述P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，所述P型场区注入区位于所述第二氧化层的下表面；去掉所述第一氧化层和所述氮化硅层。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上制作第一结构，所述第一结构包括在所述硅衬底上形成的P阱区和N阱区、覆盖所述P阱区上表面和N阱区上表面的第一氧化层及形成于所述第一氧化层之上的氮化硅层，且与所述P阱区和所述N阱区交界处所对应的第一氧化层露出所述氮化硅层；在所述P阱区和所述N阱区的交界处形成第二氧化层；在所述P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，所述P型场区注入区位于所述第二氧化层的下表面；去掉所述第一氧化层和所述氮化硅层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上制作第一结构，包括：在所述硅衬底上形成所述N阱区和所述P阱区；在所述N阱区的上表面和所述P阱区的上表面形成所述第一氧化层；在所述第一氧化层上形成所述氮化硅层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述硅衬底上形成所述N阱区和所述P阱区，包括：向所述硅衬底中注入N型离子，形成准N阱区；向所述硅衬底中注入P型离子，形成准P阱区；通过阱区驱入工艺加深所述准N阱区和所述准P阱区在所述硅衬底中的深度，得到所述N阱区和所述P阱区。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述准N阱区时注入的N型离子和在形成所述准P阱区时注入的P型离子的初始能量为40Kev～150Kev。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一氧化层上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11