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本发明涉及一种MOS管的制作方法，该方法包括：在硅衬底上制作第一结构；在P阱区和N阱区的交界处形成第二氧化层；在P阱区内形成P型场区注入区和防穿通注入区，P型场区注入区位于第二氧化层的下表面；去掉第一氧化层和氮化硅层。由于本发明首先形成第二...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。