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本发明公开一种横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法，该横向扩散金属氧化半导体元件的制作方法包括：提供基底，基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层。图案化第二导体层，以形成导体结构。于导体结构的一侧的第一导体层与介电层中...
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