受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善制造技术

一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属化层级和所述第二金属化层级之间的掩模，所述掩模包括具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运，其中，所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的每一个包括多条金属线，并且所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的至少一个的相邻金属线的一部分由空隙隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善
集成电路结构。
技术介绍
集成电路结构通常包括诸如形成在半导体衬底中或上的场效应晶体管等器件、以及多级互连结构，该多级互连结构具有位于不同器件之间的连接。代表性的多级互连结构包括一个或多个布线(wiringline)阵列或层级(level)以提供到器件的连接和器件之间的连接。紧密间隔的总体上平行的布线可以提供不期望有的电容耦合水平，特别是对于通过布线的较高数据传输速率。这种电容耦合可以以限制集成电路的性能的方式降低数据传输速率并增加能量消耗。减少相邻布线之间不期望有的电容耦合水平的一个努力是改变分隔布线的电介质材料。具体地说，已经进行了努力以利用具有较低介电常数的材料代替具有较高介电常数的电介质材料。通过例如在相邻金属线之间形成气隙来使用空气作为电介质是一种策略。然而，围绕使用气隙的一个问题是未着陆的过孔。当导电过孔相对于例如在下一层级的布线未对准并且落在气隙中时，这种未对准的过孔减少了短路裕量，或者在最坏的情况下可能使相邻线路短路。不期望有的通过未着陆的过孔在气隙中的金属沉积还会影响互连可靠性。因此，针对引入气隙层所进行的努力使用掩模来防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模是具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运。3.根据权利要求2所述的方法，其中，去除所述牺牲材料包括通过所述掩模去除所述牺牲材料。4.根据权利要求1所述的方法，在形成所述牺牲材料之前，将所述金属线设置在电介质材料中，并且所述方法包括：在每条所述金属线上形成硬掩模；以及去除所述电介质材料的一部分。5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述牺牲材料平坦化到所述金属线。6.根据权利要求4所述的方法，其中，在每条所述金属线上形成硬掩模包括：在第一金属线上形成第一硬掩模材料以及在第二金属线上形成第二硬掩模材料，其中，所述第二硬掩模材料不同于所述第一硬掩模材料。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一金属线和所述第二金属线是初始金属化层级，并且在去除所述牺牲材料之后，所述方法包括形成随后的金属化层级。8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述随后的金属化层级包括：在所述第一硬掩模材料和所述第二硬掩模材料之一中但不在另一个中形成开口、以及将所述随后的金属化层级耦合到所述初始金属化层级。9.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述牺牲材料之后，所述方法包括在所述掩模上形成电介质层。10.一种包括一个或多个金属化层的集成电路结构，所述集成电路结构是通过权利要求1-9的方法中的任一种制造的。11.一种方法，包括：在集成电路衬底上的电介质层中形成第一金属化层级，所述第一金属化层级包括多条金属线；利用牺牲材料代替所述电介质层的一部分；在所述牺牲材料上形成掩模；通过所述掩模去除所述牺牲材料；以及将第二金属化层级耦合到所述第一金属化层级。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掩模是具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·J·辛格，A·M·迈尔斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US