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一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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