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本发明提供一种电特性的变动被抑制且可靠性得到提高的包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的源电极；电连接于氧化物半导体膜的漏电极；以及氧化物半导体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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