半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构、源极/漏极区、源极/漏极接触、分隔物和接触源极/漏极接触的介层孔插塞和接触介层孔插塞的导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一栅极结构和第二栅极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏极区设置于第一栅极结构和第二栅极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一栅极结构、第二栅极结构和源/漏极区上方。源极/漏极接触层，设置于源/漏极区上。分隔物设置相邻于源极/漏极接触。第一栅极结构的末端、第二栅极结构的末端和源极/漏极接触的末端接触分隔物的相同面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种位于源极/漏极区上方的自对准接触结构(self-aligncontactstructure)及其制造方法。
技术介绍
随着半导体元件尺寸的缩小，自对准接触(以下简称SAC)被广泛地使用于工艺中，例如配置接近于一场效晶体管(FET)的栅极结构的源极/漏极(S/D)接触。通常来说，利用图案化层间介电层(ILD)制造的自对准接触，在层间介电层下方，会于具有侧壁间隙壁的一栅极结构上方形成接触蚀刻停止层(contactetch-stoplayer，CESL)。层间介电层的初始蚀刻会停止在接触蚀刻停止层，然后蚀刻接触蚀刻停止层以形成自对准接触。当元件密度增加时(意即缩小半导体元件尺寸)，侧壁间隙壁的厚度会变得更薄，其可能会导致源极/漏极(S/D)接触和栅极之间产生短路(shortcircuit)。并且，两个相邻的源极/漏极接触之间的间隔变得更窄。因此，有需要提供一种自对准接触结构(self-aligncontactstructure)及其制造方法，以改善源极/漏极接触之间的电性隔绝。
技术实现思路
依据本公开一些实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一第一鳍结构的一部分和一第二鳍结构的一部分上方形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分设置一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于该第一方向的一第二方向配置，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分彼此平行且突出于一隔绝绝缘层，该第一栅极结构和该第二栅极结构以该第二方向延伸且以该第一方向配置，该第一栅极结构和该第二栅极结构彼此平行；于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方形成一层间绝缘层；于该层间绝缘层上方形成具有一第一开口的一第一掩模层，该第一开口位于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方；穿过该第一开口切割该第一栅极结...

【技术特征摘要】
2015.11.30 US 62/261,256;2016.05.17 US 15/157,2831.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一第一鳍结构的一部分和一第二鳍结构的一部分上方形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分设置一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于该第一方向的一第二方向配置，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分彼此平行且突出于一隔绝绝缘层，该第一栅极结构和该第二栅极结构以该第二方向延伸且以该第一方向配置，该第一栅极结构和该第二栅极结构彼此平行；于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方形成一层间绝缘层；于该层间绝缘层上方形成具有一第一开口的一第一掩模层，该第一开口位于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方；穿过该第一开口切割该第一栅极结构和该第二栅极结构，且穿过该第一开口蚀刻设置该第一栅极结构和该第二栅极结构之间的该隔绝绝缘层和该层间介电层，以形成一第一凹陷；于该第一凹陷中形成一绝缘层；形成具有一第二开口的一第二掩模层以暴露位于该第一凹陷中的该绝缘层的一部分和该层间介电层的一部分，该第二开口位于该第一鳍结构上方；穿过该第二开口蚀刻该层间介电层的该暴露部分，以于该第一鳍结构上方形成至少一个第二凹陷；以及于至少该个第二凹陷中形成一导电材料，以形成一第一源极/漏极接触层。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：该第二开口也位于该第二鳍结构上方，在进行穿过该第二开口蚀刻该层间介电层的该暴露部分时，于该第二鳍结构上方形成另一个第二凹陷，以及于该另一个第二凹陷中形成该导电材料以得到一第二源极/漏极接触层。3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括形成接触该第一源极/漏极接触层的一第一介层孔插塞，其中该第一介层孔插塞接触该第二源极/漏极接触层。4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中：该第二掩模层具有一第三开口以暴露位于该第一凹陷和至少该个第二凹陷和该另一个第二凹陷外面的该绝缘层的一部分，在进行穿过该第二开口蚀刻该层间介电层的该暴露部分时，会穿过该第三开口蚀刻该绝缘层的该部分以形成一第三凹陷，以及在进行于至少该个第二凹陷和该另一个第二凹陷中形成该导电材料时，也会于该第三凹陷中形成该导电材料。5.一种半导体装置，包括：一第一鳍结构和一第二鳍结构，该第二鳍结构通过一隔绝绝缘层与该第一鳍结构隔绝，该第一鳍结构和该第二鳍结构以一第一方向延伸；一第一鳍式场效晶体管和一第二鳍式场效晶体管，两者形成于该第一鳍结构上方，该第一鳍式场效晶体管包括一第一栅极，该第二鳍式场效晶体管包括一第二栅极，该第一栅极和该第二栅极以与该第一方向交叉的一第二方向延伸；一第一源极/漏极区，被该第一鳍式场效晶体管和该第二鳍式场效晶体管共用且设置于该第一鳍式场效晶体管和该第二鳍式场效晶体管之间；一层间绝缘层，设置于该第一鳍结构、该第二鳍结构、该第一鳍式场效晶体管、该第二鳍式场效晶体管和该第一源极/漏极区上方；一第一源极/漏极接触层，设置于该第一源极/漏极区上，且朝着该第二鳍结构延伸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄意君，谢东衡，杨宝如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71