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本发明涉及控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM，其提供形成eDRAM的多晶硅填充深沟槽的方法。该方法可包括在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽。向该沟槽的上部引入外延抑制掺杂物。接着，在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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