复合晶片及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
复合晶片及其制造方法
本文中描述的实施例涉及晶片，尤其具有衬底和布置在衬底上的SiC基功能层的复合晶片，并且涉及用于制造这样晶片的方法。
技术介绍
相对于由硅晶片制成的更一般的器件，SiC基半导体器件供给许多优点。例如，耐受高温并且具有宽带隙的SiC非常适合于高温电子系统（诸如功率电子器件或高温传感器）中的应用。由于SiC的高成本，薄SiC基功能层对于SiC基器件是合乎期望的。功能层能够布置在衬底上，该衬底提供基体材料并且在SiC层的处理期间以及还可能在最终的器件中允许足够的机械和热稳定性。除了不及SiC昂贵，衬底应当良好地粘附到SiC，应当易于处置和能够耐得住处理条件（诸如高温），并且不应当使处理设备受不需要的物质污染。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，复合晶片包括：衬底，包括多孔碳衬底芯和包装层，包装层以基本上氧密封的方式包装衬底芯；以及接合在衬底上的SiC基功能层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是...
【技术保护点】
一种用于制造复合晶片的方法，所述方法包括：提供多孔碳衬底芯；使用包装层包装所述衬底芯，由此获得衬底；提供SiC基功能层；在所述SiC基功能层上或在所述包装层的部分上形成包括碳化物和硅化物形成金属的粘附层，所述粘附层具有1nm和10nm之间的厚度；在所述衬底上以如下方式放置所述SiC基功能层：使得所述粘附层插入在所述包装层和所述功能层之间；以及在所述衬底上以如下方式接合所述SiC基功能层：使得所述粘附层的所述碳化物和硅化物形成金属的至少部分与所述功能层的SiC的部分反应以形成碳化物和硅化物中的至少一个，其中所述包装层以氧密封的方式包装所述衬底芯。
【技术特征摘要】
2013.02.12 US 13/7651021.一种用于制造复合晶片的方法，所述方法包括：提供多孔碳衬底芯；使用包装层包装所述衬底芯，由此获得衬底；提供SiC基功能层；在所述SiC基功能层上或在所述包装层的部分上形成包括碳化物和硅化物形成金属的粘附层，所述粘附层具有1nm和10nm之间的厚度；在所述衬底上以如下方式放置所述SiC基功能层：使得所述粘附层插入在所述包装层和所述功能层之间；以及在所述衬底上以如下方式接合所述SiC基功能层：使得所述粘附层的所述碳化物和硅化物形成金属的至少部分与所述功能层的SiC的部分反应以形成碳化物和硅化物中的至少一个，其中所述包装层以氧密封的方式包装所述衬底芯。2.根据权利要求1的方法，其中接合包括使所述粘附层的所有碳化物和硅化物形成金属与所述功能层的SiC的部分反应以形成碳化物和硅化物中的至少一个，使得没有未反应的碳化物和硅化物形成金属的连续层余留在所述功能层和所述包装层之间。3.根据权利要求1的方法，其中所述包装包括借助于溅射、镀锌和CVD沉积中的任一个来形成所述包装层。4.根据权利要求1的方法，其中所述包装包括形成无定形或多晶Si层。5.根据权利要求4的方法，其中所述包装进一步包括从所述Si层反应地形成SiO2层或SiC层。6.根据权利要求1的方法，进一步包括在所述衬底的与所述功能...
【专利技术属性】
技术研发人员：R贝格尔，W莱纳特，A毛德，G鲁尔，R鲁普，HJ舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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