一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，其中，该多晶硅薄膜制作方法包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本发明专利技术实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜
本专利技术涉及显示
，尤指一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜。
技术介绍
目前，液晶平板显示器的背板大部分采用的是非晶硅薄膜晶体管，但是由于非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，阈值电压漂移，使得非晶硅薄膜晶体管不能适应有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)的驱动。为此，业内技术人员采用多晶硅薄膜晶体管替代非晶硅薄膜晶体管改善电子迁移率低，阈值电压漂移等缺陷，其中，多晶硅薄膜是通过对非晶硅薄膜进行晶化得到的，具体为在基板上沉积一层非晶硅薄膜。对非晶硅薄膜进行脱氢工艺处理，脱氢工艺完成，采用激光退火工艺，对非晶硅薄膜进行晶化处理，在基板上形成多晶硅薄膜。但是，在非晶硅薄膜晶化的时候，多晶硅晶粒的长大与初始晶粒的形成关系密切，而一般形成的初始晶粒的尺寸大小或者取向有差异，就会导致形成的多晶硅薄膜质量不佳，且电学性能较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，能够提高多晶硅薄膜质量以及电学性能。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多晶硅薄膜制作方法，包括：沉积第一非晶硅层；对所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积第一非晶硅层，包括：提供一基板；在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一非晶硅层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，包括：采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理；采用等离子工艺和/或湿法刻蚀工艺对晶化后的第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理之前，所述方法还包括：对所述第一非晶硅层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：任庆荣，李良坚，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11