一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，其中，该多晶硅薄膜制作方法包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本发明专利技术实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜
本专利技术涉及显示
，尤指一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜。
技术介绍
目前，液晶平板显示器的背板大部分采用的是非晶硅薄膜晶体管，但是由于非晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，阈值电压漂移，使得非晶硅薄膜晶体管不能适应有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)的驱动。为此，业内技术人员采用多晶硅薄膜晶体管替代非晶硅薄膜晶体管改善电子迁移率低，阈值电压漂移等缺陷，其中，多晶硅薄膜是通过对非晶硅薄膜进行晶化得到的，具体为在基板上沉积一层非晶硅薄膜。对非晶硅薄膜进行脱氢工艺处理，脱氢工艺完成，采用激光退火工艺，对非晶硅薄膜进行晶化处理，在基板上形成多晶硅薄膜。但是，在非晶硅薄膜晶化的时候，多晶硅晶粒的长大与初始晶粒的形成关系密切，而一般形成的初始晶粒的尺寸大小或者取向有差异，就会导致形成的多晶硅薄膜质量不佳，且电学性能较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，能够提高多晶硅薄膜质量以及电学性能。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种多晶硅薄膜制作方法，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。进一步地，所述沉积第一非晶硅层，包括：提供一基板；在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一非晶硅层。进一步地，所述对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，包括：采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理；采用等离子工艺和/或湿法刻蚀工艺对晶化后的第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层。进一步地，所述采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理之前，所述方法还包括：对所述第一非晶硅层进行去氢处理。进一步地，所述等离子工艺采用氩气、氦气、氮气或者氢气等离子体；所述湿法刻蚀工艺采用氢氟酸、磷酸或者硝酸。进一步地，所述对所述第二非晶硅层进行处理，包括：采用非晶硅晶化工艺对所述第二非晶硅层进行晶化处理。进一步地，所述采用非晶硅晶化工艺对所述第二非晶硅层进行晶化处理之前，所述方法还包括：对第二非晶硅层进行去氢处理。进一步地，所述非晶硅晶化工艺包括：准分子激光退火工艺。进一步地，去氢处理的温度为350-450℃，去氢处理的时间为20-120分钟。另外，本专利技术实施例还提供一种多晶硅薄膜，采用多晶硅薄膜制作方法所制得。本专利技术实施例提供一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，多晶硅薄膜制作方法包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本专利技术实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图一；图3为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图二；图4为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图三；图5为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图四；图6为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图五；图7为本专利技术实施例提供的步骤100的流程图；图8为本专利技术实施例提供的步骤200的流程图；图9为本专利技术实施例提供的步骤400的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。实施例一图1为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法的流程图，如图1所示，本专利技术实施例提供一种多晶硅薄膜制作方法，具体包括以下步骤：步骤100、沉积第一非晶硅层。其中，第一非晶硅层的厚度为100埃，需要说明的是，本申请并不以此为限。另外，“沉积”只是形成膜层的一种方式，还可以包括溅射、涂覆等，并不以此作为限定。步骤200、对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层。具体的，本专利技术实施例通过对第一非晶硅层进行处理是为了形成非晶硅薄膜晶化所需的颗粒，其中，晶粒界面层中晶粒就是非晶硅薄膜晶化所需的晶粒。步骤300、沉积第二非晶硅层。其中，第二非晶硅层的厚度为300-500埃，需要说明的是，本专利技术并不以此为限。具体的，第二非晶硅层沉积的位置是在处理后的第一非晶硅层形成的晶粒界面层上。步骤400、对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。具体的，多晶硅薄膜中的多晶硅薄膜晶粒是以晶粒界面层中的晶粒为核心生长形成的。本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本专利技术实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。图2为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图一；图3为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图二；图4为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图三；图5为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图四；图6为本专利技术实施例提供的多晶硅薄膜制作方法制作流程剖面示意图五，下面结合图2-图6进一步的详细说明多晶硅薄膜制作方法。图7为本专利技术实施例提供的步骤100的流程图，如图7所示，步骤100，具体包括以下步骤：步骤110、提供一基板10。其中，基板10可以为玻璃基板、塑胶基板或者金属基板，若基板10采用玻璃基板的话，考虑到传统碱玻璃中铝、钡和钠等金属杂质含量较高，容易在高温处理工艺中发生金属杂质的扩散，因此，优选采用无碱玻璃。步骤120、在基板10上沉积缓冲层20。其中，若基板10采用玻璃基板，在对玻璃基板进行预清洗后沉积缓冲层20。具体的，参考图2，在基板10上可以采用等离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,简称PECVD)工艺沉积缓冲层20，或者还可以采用低压力化学气相沉积(LowPressureChemicalVaporDeposition，简称LPCVD)工艺或者溅射工艺设置缓冲层20。需要说明的是，若采用PECVD或者LPCVD沉积工艺形成缓冲层，需要沉积温度控制600摄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，包括：沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积第一非晶硅层，包括：提供一基板；在基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一非晶硅层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，包括：采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理；采用等离子工艺和/或湿法刻蚀工艺对晶化后的第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用非晶硅晶化工艺对第一非晶硅层进行晶化处理之前，所述方法还包括：对所述第一非晶硅层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：任庆荣，李良坚，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11