用于射频应用的结构制造技术

本发明专利技术涉及一种用于射频应用的结构(1)，其包括：半导体支撑衬底(2)；捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；捕获层(3)的特点在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度；所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：超过该缺陷密度，捕获层(3)的电阻率在[‑20℃；+120℃]的温度范围内不低于10Kohm.cm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于射频应用的结构
本专利技术涉及集成式射频器件的领域。
技术介绍
集成式器件通常制造于晶片形式的衬底上，所述晶片主要用作集成式器件制造的媒介。然而，这些器件的集成水平和期望性能的提高使得它们的性能与它们的形成所在的衬底的特性之间的联系越来越强。特别是对处理频率在大约3kHz和300GHz之间的信号的射频(RF)器件而言，其更具体地应用于电信领域(蜂窝电话、Wi-Fi、蓝牙……)。作为器件/衬底耦合的示例，源自于通过器件传播的高频信号的电磁场深深地穿透至衬底中，在衬底中电磁场与位于那里的任何电荷载流子相互作用。这导致下述问题：信号的非线性失真(谐波)、通过插入损耗引起的信号的一部分能量的不必要消耗以及部件之间的可能影响。因此，RF器件显示出由其架构和生产工艺以及它们被制造所在的衬底的性能二者所决定的，用以限制插入损耗、相邻器件之间的串扰(diaphonies)以及产生谐波的非线性失真的现象的特性。随着由“多媒体”应用而产生的对数据需求的激增，移动电话标准(2G、3G、LTE、LTE-A…)的变化同样对RF部件施加越来越严格的规范。通常需要在-20℃和+120℃之间保证这些部件的RF性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于射频应用的结构(1,1’,11)，其包括：·半导体支撑衬底(2)；·捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；其中，捕获层(3)的特征在于，其包括大于预定缺陷密度的缺陷密度，所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：其使得在温度范围[‑20℃；+120℃]内，捕获层(3)的电阻率大于或等于10kohm.cm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.04 FR 14028011.一种用于射频应用的结构(1,1’,11)，其包括：·半导体支撑衬底(2)；·捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；其中，捕获层(3)的特征在于，其包括大于预定缺陷密度的缺陷密度，所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：其使得在温度范围[-20℃；+120℃]内，捕获层(3)的电阻率大于或等于10kohm.cm。2.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)在20℃具有大于10kOhm.cm的电阻率，优选为具有大于50kOhm.cm的电阻率。3.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，在100℃与1200℃之间，捕获层(3)与支撑衬底(2)之间的热膨胀系数的差小于5ppm/K。4.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括尺寸小于20nm的微结构，优选为包括尺寸小于10nm的微结构。5.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括多孔材料或多晶材料。6.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括包含1％至20％的碳的多晶材料。7.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)的厚度在10μm与50μm之间，优选地在20μm与30μm之间。8.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，支撑衬底(2)包括选自以下材料的至少一种材料：硅、硅锗和碳化硅。9.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，支撑衬底(2)的电阻率在10Ohm.cm与2000Ohm.cm之...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·科农丘克，D·朗德吕，C·菲盖，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR