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本发明涉及一种用于射频应用的结构(1)，其包括：半导体支撑衬底(2)；捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；捕获层(3)的特点在于其包括比预定缺陷密度更高的缺陷密度；所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：超过该缺陷密度，捕获层(3)的电阻率在...
该专利属于SOITEC公司所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司授权不得商用。

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