一种非易失性存储器数据读取方法技术

本发明专利技术涉及一种非易失性存储器数据读取方法，具体如下：外围读取电路模块同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，产生的读取信号分别记为SL、SD、SH；信号处理模块输入端与外围读取电路模块相连，同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，接收读取信号SL、SD、SH；信号处理模块输出端与信号判决模块输入端相连，对接收的信号SL、SD、SH处理，并输出两个处理后的信号，分别为DL与DH；信号判决模块的两个输入端与信号处理模块两个输出端相连，接收信号DL与DH，进行比较判决并放大，输出最终数据读取结果。本发明专利技术可极大减小工艺参数偏差的影响；同时可进一步提高读取裕度，进而提高非易失性存储器的数据读取可靠性。

Nonvolatile memory data reading method

The invention relates to a non-volatile memory data reading method, as follows: the peripheral circuit module with low resistance at the same time to read the reference unit, data unit, high value reference unit is respectively SL, SD, SH read signal generated by the signal processing module; the input end and the peripheral circuit module is connected with reading. Low resistance reference unit, data unit, high value reference unit is receiving a read signal SL, SD, SH; the output end of the signal processing module and signal decision module is connected with the input end of the signal processing, SL, SD, SH and the receiver, the output signal two after treatment, respectively DL and DH; signal judgment module two input and two output end of the signal processing module is connected, the received signal DL and DH, compares the judgment and amplification, the final output data read results. The invention can greatly reduce the influence of technological parameter deviation; meanwhile, the read margin can be further improved, thereby improving the data reading reliability of the non-volatile memory.

【技术实现步骤摘要】
一种非易失性存储器数据读取方法
本专利技术涉及一种非易失性存储器数据读取方法。属于存储器

技术介绍
近年来，新型非易失性存储器技术迅速发展，并逐渐进入应用阶段，如自旋转移矩磁性随机存储器(SpinTransferTorqueMagneticRandomAccessMemory，STT-MRAM)，阻变式随机存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM)，与相变随机存储器(PhaseChangeRandomAccessMemory，PCRAM)等，其工作原理为通过改变存储单元中非易失性存储器件的电阻值状态，使其在高阻值(RH)和低阻值(RL)之间变换，并以此存储数据信息。比如高阻值代表数据比特“1”，低阻值代表数据比特“0”，或者反之亦然。一般而言，一个存储器包含两种存储单元，一种是数据单元，其电阻状态可变，记为Rdata，用于存储二进制数据信息；另一种是参考单元，其电阻状态已知，记为Rref(其电阻值通常为Rref＝(RH+RL)/2)，用于读取数据时，给数据单元提供判决参考信号。典型的存储单元结构如附图1所示，由一个非易失性存储器件(可看作一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器数据读取方法，特征在于：该数据读取方法由一个高阻值参考单元、一个低阻值参考单元、一个数据单元、一个外围读取电路模块、一个信号处理模块以及一个信号判决模块组成；它们之间的位置连接关系及信号走向是：外围读取电路模块同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，产生相应的读取信号分别记为SL、SD、SH；信号处理模块输入端与外围读取电路模块相连，同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，接收读取信号SL、SD、SH；信号处理模块输出端与信号判决模块输入端相连，对接收到的信号SL、SD、SH进行处理，并输出两个处理后的信号，分别记为DL与DH；信号判决模块的两个输入端...

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器数据读取方法，特征在于：该数据读取方法由一个高阻值参考单元、一个低阻值参考单元、一个数据单元、一个外围读取电路模块、一个信号处理模块以及一个信号判决模块组成；它们之间的位置连接关系及信号走向是：外围读取电路模块同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，产生相应的读取信号分别记为SL、SD、SH；信号处理模块输入端与外围读取电路模块相连，同时与低阻值参考单元、数据单元、高阻值参考单元相连，接收读取信号SL、SD、SH；信号处理模块输出端与信号判决模块输入端相连，对接收到的信号SL、SD、SH进行处理，并输出两个处理后的信号，分别记为DL与DH；信号判决模块的两个输入端与信号处理模块的两个输出端相连，接收信号DL与DH，进行比较判决并放大，输出最终的数据读取结果。2.根据权利要求1所述的一种非易失性存储器数据读取方法，其特征在于：所述的高阻值参考单元、低阻值参考单元和数据单元隶属于非易失性存储器的存储阵列；其中高阻值参考单元和低阻值参考单元中的非易失性存储器件的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：康旺，张和，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京,11