电阻式随机存取内存制造技术

本发明专利技术提供一种电阻式随机存取内存，包括至少一第一电阻式记忆胞、第一位线选择开关、第一源极线选择开关、第一下拉开关以及第二下拉开关。第一位线选择开关耦接至第一位线以及感测放大器。第一源极线选择开关耦接至源极线以及感测放大器。第一下拉开关及第二下拉开关分别地耦接至位线及源极线。当读取操作被执行时，第一位线选择开关以及第二下拉开关的导通或断开状态相同，第一源极线选择开关以及第一下拉开关的导通或断开状态相同，且第一下拉开关及第二下拉开关的导通或断开为互补的。本发明专利技术提供的电阻式随机存取内存具有可执行反向读取的结构，以降低电阻式内存中位胞读取干扰状态。

【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取内存
本专利技术涉及一种电阻式随机存取内存，尤其涉及一种具有可执行反向读取的结构的电阻式内存。
技术介绍
在已知的电阻式随机存取内存技术中，选择好的设定或重置电压以及克服电阻式随机存取记忆胞的读取干扰(readdisturb)是很大的挑战。即使是应用一个非常小的读取电压至随机存取记忆胞中，都可能因为读取干扰现象而导致记忆胞状态的改变。电阻式随机存取记忆胞被干扰的现象是在执行读取操作时，由于漏极的读取电压或者是源极的读取电压的极性(polarity)与设定或重置操作相同。因此，电阻式随机存取记忆胞在连续读取时，会有数据干扰的情形发生。
技术实现思路
本专利技术提供一种电阻式随机存取内存，此电阻式内存证明具有可执行反向读取的结构，以降低电阻式内存中位胞读取干扰状态。本专利技术提供一种电阻式随机存取内存。此电阻式内存包括至少一第一电阻式细胞、第一位线选择开关、第一源极线选择开关、第一下拉开关以及第二下拉开关。第一电阻式记忆胞具有第一端、第二端以及控制端，其中第一电阻式记忆胞的第一端耦接至第一位线，第一电阻式记忆胞的第二端耦接至第一源极线，以及第一电阻式记忆胞的控制端耦接至字符线。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式随机存取内存，其特征在于，包括：至少一第一电阻式记忆胞，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一电阻式记忆胞的所述第一端耦接至第一位线，所述第一电阻式记忆胞的所述第二端耦接至第一源极线，以及所述第一电阻式记忆胞的所述控制端耦接至字符线；以及第一位线选择开关，具有与所述第一位线耦接的第一端，以及与感测放大器的第一输入端耦接的第二端；第一源极线选择开关，具有与所述第一源极线耦接的一第一端，以及与所述感测放大器的所述第一输入端耦接的第二端；第一下拉开关，耦接至所述第一电阻式记忆胞的所述第一端与参考接地之间，并接收第一控制信号以被导通或断开；以及第二下拉开关，耦接至所述第一电阻式记忆胞的所...

【技术特征摘要】
2016.01.11 US 14/992,0251.一种电阻式随机存取内存，其特征在于，包括：至少一第一电阻式记忆胞，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一电阻式记忆胞的所述第一端耦接至第一位线，所述第一电阻式记忆胞的所述第二端耦接至第一源极线，以及所述第一电阻式记忆胞的所述控制端耦接至字符线；以及第一位线选择开关，具有与所述第一位线耦接的第一端，以及与感测放大器的第一输入端耦接的第二端；第一源极线选择开关，具有与所述第一源极线耦接的一第一端，以及与所述感测放大器的所述第一输入端耦接的第二端；第一下拉开关，耦接至所述第一电阻式记忆胞的所述第一端与参考接地之间，并接收第一控制信号以被导通或断开；以及第二下拉开关，耦接至所述第一电阻式记忆胞的所述第二端以及所述参考接地之间，并接收第二控制信号以被导通或断开，其中，当读取操作被执行于所述第一电阻式记忆胞时，所述第一位线选择开关与所述第二下拉开关的导通或断开状态相同，所述第一源极线选择开关与所述第一下拉开关的导通或断开状态相同，且所述第一以及第二下拉开关的导通或断开状态是互补的。2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述第一位线选择开关包括：第一开关单元，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第一开关单元的所述第一端耦接至所述第一位线，且所述第一开关单元的所述控制端接收反相第一控制信号；以及第二开关单元，具有第一端、第二端以及控制端，其中所述第二开关单元的所述第一端耦接至所述第一开关单元的所述第二端，所述第二控制单元的所述第二端耦接至所述感测放大器的所述第一输入端，且所述第一开关单元的所述控制端接收第一位线选择信号。3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，所述第一源极线选择开关包括：第一开关单元，具有第一端，第二端以及控制端，其中所述第一开关单元的所述第一端耦接至所述第一源极线，以及所述第一开关单元的所述控制端接收一反相第二控制信号；第二开关单元，具有第一端，第二端以及控制端，其中所述第二开关单元的所述第一端耦接至所述第一开关单元的所述第二端，所述第二开关单元的所述第二端耦接至所述感测放大器的所述第一输入端，以及所述第一开关单元的所述控制端接收第一源极线选择信号。4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，还包括：参考记忆胞，耦接至所述感测放大器的第二输入端，其中所述参考记忆胞具有参照电阻，并根据所述参照电阻提供参考信号至所述感测放大器的所述第二输入端。5.根据权利要求4所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，还包括：第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，所述第一晶体管的所述第一端耦接至所述第一位线选择开关的所述第二端以及所述第一源极线选择开关的所述第二端，所述第一晶体管的所述第二端耦接至所述感测放大器的所述第一输入端，以及所述第一晶体管的所述控制端接收参考偏压；以及第二晶体管，具有第一端以接收所述参考信号，第二端耦接至所述感测放大器的所述第二输入端，以及控制端以接收所述参考偏压。6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取内存，其特征在于，还包括：设定/重...

【专利技术属性】
技术研发人员：林小峰，陈毓明，柳德铉，林纪舜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71