【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种选择性发射结电池的制备工艺，包括：制备含发射结的硅片；在所述硅片正面设置掩模，所述掩模保护所述硅片正面的待金属化区域以及所述硅片正面的边缘部分；对所述硅片进行正面刻蚀；去除所述掩模；以及对所述硅片进行背面和正面边缘刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：熊震，邓伟伟，卫志敏，祁宏山，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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