本实用新型专利技术公开的一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，其包括高频变压器，高频变压器初级连接由第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第一瞬间抑制二极管、第二瞬间抑制二极管和电容构成的大功率高频充电电路。本实用新型专利技术能够在脉冲负半周时，释放第一、第二绝缘栅双极型晶体管上结电容能量，解决了并联的第一、第二绝缘栅双极型晶体管承受电流不平衡的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开的一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，其包括高频变压器，高频变压器初级连接由第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第一瞬间抑制二极管、第二瞬间抑制二极管和电容构成的大功率高频充电电路。本技术能够在脉冲负半周时，释放第一、第二绝缘栅双极型晶体管上结电容能量，解决了并联的第一、第二绝缘栅双极型晶体管承受电流不平衡的问题。【专利说明】一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路
本技术涉及充电设备
，特别涉及一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路。
技术介绍
目前，在大功率高频充电机线路中，一般都采用成本较高的IGBT模块。模块价格比单个IGBT管价格高出十几倍。用几个IGBT管并联的方法，可以获得大功率输出。但必须解决并联时，由于结电容的存在，并联管子间承受电流不平衡的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对大功率高频充电机电路所存在的上述技术问题而提供一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路。 本技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现: 一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，包括一高频变压器，所述高频变压器初级的一端连接第一二极管的正极和第二二极管的负极，高频变压器初级的另一端连接第一电阻的一端和第三二极管的负极，所述第一二极管的负极分别连接第二电阻的一端和第一三极管的集电极，所述第二二极管的另一端连接第三电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极相连，所述第三二极管的正极与所述第一三极管的发射极连接；第一瞬间抑制二极管的正极与第三二极管的正极、第一三极管的发射极、第四电阻的一端、第一绝缘栅双极型晶体管的发射极、第二瞬间抑制二极管的正极、第五电阻的一端、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极、第六电阻的一端连接，第一瞬间抑制二极管的负极与第二电阻的另一端、第三电阻的另一端、第七电阻的一端、第八电阻的一端连接，第八电阻的另一端和第四电阻的另一端连接到第一绝缘栅双极型晶体管的门极，第七电阻的另一端和第六电阻的另一端连接到第二绝缘栅双极型晶体管的门极；第一绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二瞬间抑制二极管的负极、电容的一端并接后构成该大功率高频充电电路的输入，电容的另一端和第五电阻的另一端连接。 本技术能够在脉冲负半周时，释放第一、第二绝缘栅双极型晶体管上结电容能量，解决了并联的第一、第二绝缘栅双极型晶体管承受电流不平衡的问题。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路的电原理示意图。 【具体实施方式】 参见图1，一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，包括一高频变压器MBl，所述高频变压器MBl初级的一端连接二极管Dl的正极和二极管D2的负极，高频变压器MBl初级的另一端连接电阻R8的一端和二极管D3的负极，所述二极管Dl的负极分别连接电阻RlO的一端和三极管BGl的集电极，所述二极管D2的另一端连接电阻Rll的一端，所述电阻R8的另一端与所述三极管BGl的基极相连，所述二极管D3的正极与所述三极管BGl的发射极连接；瞬间抑制二极管TVSl的正极与二极管D3的正极、三极管BGl的发射极、电阻R18的一端、绝缘栅双极型晶体管Ql的发射极、瞬间抑制二极管TVS3的正极、电阻R20的一端、绝缘栅双极型晶体管Q2的发射极、电阻R22的一端连接，瞬间抑制二极管TVSl的负极与电阻RlO的另一端、电阻Rll的另一端、电阻R14的一端、电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端和电阻R18的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管Ql的门极，电阻R14的另一端和电阻R22的另一端连接到绝缘栅双极型晶体管Q2的门极；绝缘栅双极型晶体管Ql的集电极、绝缘栅双极型晶体管Q2的集电极、瞬间抑制二极管TVS3的负极、电容C12的一端并接后构成该大功率高频充电电路的输入，电容C12的另一端和电阻R20的另一端连接。 当脉冲处于正半周时，脉冲电流的回路是流动方向是二极管Dl-电阻RlO-电阻R14-绝缘栅双极型晶体管Q2- 二极管D3- 二极管Dl或者二极管Dl-电阻RlO-电阻R15-绝缘栅双极型晶体管Ql-电阻R18-二极管D3-二极管Dl进行正常充电；当脉冲处于负半周时，通过回路电阻R8-三极管BGl-绝缘栅双极型晶体管Ql-电阻R15-电阻Rll- 二极管D2-电阻R8或者电阻R8-三极管BGl-绝缘栅双极型晶体管Ql-电阻R15-电阻RlO-三极管BGl-电阻R8，释放绝缘栅双极型晶体管Ql上结电容能量；通过回路电阻R8-三极管BGl-绝缘栅双极型晶体管Q2-电阻R14-电阻Rll- 二极管D2-电阻R8或者电阻R8-三极管BGl-绝缘栅双极型晶体管Ql-电阻R14-电阻RlO-三极管BGl-电阻R8，释放绝缘栅双极型晶体管Q2上结电容能量，解决了并联的绝缘栅双极型晶体管Q1、Q2承受电流不平衡的问题。【权利要求】1.一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，其特征在于，包括一高频变压器，所述高频变压器初级的一端连接第一二极管的正极和第二二极管的负极，高频变压器初级的另一端连接第一电阻的一端和第三二极管的负极，所述第一二极管的负极分别连接第二电阻的一端和第一三极管的集电极，所述第二二极管的另一端连接第三电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极相连，所述第三二极管的正极与所述第一三极管的发射极连接；第一瞬间抑制二极管的正极与第三二极管的正极、第一三极管的发射极、第四电阻的一端、第一绝缘栅双极型晶体管的发射极、第二瞬间抑制二极管的正极、第五电阻的一端、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极、第六电阻的一端连接，第一瞬间抑制二极管的负极与第二电阻的另一端、第三电阻的另一端、第七电阻的一端、第八电阻的一端连接，第八电阻的另一端和第四电阻的另一端连接到第一绝缘栅双极型晶体管的门极，第七电阻的另一端和第六电阻的另一端连接到第二绝缘栅双极型晶体管的门极；第一绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二瞬间抑制二极管的负极、电容的一端并接后构成该大功率高频充电电路的输入，电容的另一端和第五电阻的另一端连接。【文档编号】H02J7/00GK204068675SQ201420413050【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年7月24日 优先权日:2014年7月24日 【专利技术者】陈佩忠, 陈春欢, 陈波, 唐永超 申请人:上海施能电器设备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种由多个IGBT并联组成的大功率高频充电电路，其特征在于，包括一高频变压器，所述高频变压器初级的一端连接第一二极管的正极和第二二极管的负极，高频变压器初级的另一端连接第一电阻的一端和第三二极管的负极，所述第一二极管的负极分别连接第二电阻的一端和第一三极管的集电极，所述第二二极管的另一端连接第三电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极相连，所述第三二极管的正极与所述第一三极管的发射极连接；第一瞬间抑制二极管的正极与第三二极管的正极、第一三极管的发射极、第四电阻的一端、第一绝缘栅双极型晶体管的发射极、第二瞬间抑制二极管的正极、第五电阻的一端、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极、第六电阻的一端连接，第一瞬间抑制二极管的负极与第二电阻的另一端、第三电阻的另一端、第七电阻的一端、第八电阻的一端连接，第八电阻的另一端和第四电阻的另一端连接到第一绝缘栅双极型晶体管的门极，第七电阻的另一端和第六电阻的另一端连接到第二绝缘栅双极型晶体管的门极；第一绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二瞬间抑制二极管的负极、电容的一端并接后构成该大功率高频充电电路的输入，电容的另一端和第五电阻的另一端连接。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈佩忠，陈春欢，陈波，唐永超，
申请(专利权)人：上海施能电器设备有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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