【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，其特征在于，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速外延技术在高掺杂外延层表面外延生长物理支撑层；采用机械减薄和化学抛光工艺将特高阻单晶层进行减薄抛光使其厚度和表面质量达到技术要求；所述特高阻单晶层是指N型特高阻硅单晶，作为制作红外硅PIN光电二极管的有源区；所述外延层的掺杂浓度大于4.7×1018，厚度为100μm±10μm，作为制作红外硅PIN光电二极管的N型欧姆接触区；所述支撑层厚度大于150μm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄烈云，钟四成，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。