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为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题，本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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