一种晶体硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法包括如下步骤：在P型硅片的正面形成绒面；在所述P型硅片正面形成P-N结；在所述P-N结上形成金属层；在所述金属层上形成减反层；在所述P型硅片背面形成背电极/铝背场；在所述P型硅片正面形成正电极；其特征在于，所述金属层与N型层之间形成的势垒高度小于所述正电极与所述N型层之间形成的势垒高度。相应的，本发明专利技术还提供一种采用上述方法制备的晶体硅太阳能电池。采用本发明专利技术的方法，可以解决低掺杂浓度发射极导致的n层与金属电极间的接触问题，有利于高方阻技术的推广；还可以降低晶体硅太阳能电池的串联电阻，进而提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：a）在P型硅片的正面形成绒面；b）在所述P型硅片正面形成P?N结；c）在所述P?N结上形成金属层；d）在所述金属层上形成减反层；e）在所述P型硅片背面形成背电极/铝背场；f）在所述P型硅片正面形成正电极；其特征在于，所述金属层与N型层之间形成的势垒高度小于所述正电极与所述N型层之间形成的势垒高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘石勇，牛新伟，杨德仁，韩玮智，蒋前哨，金建波，陆川，仇展炜，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：