一种快速评估最优读电压的方法技术

本发明专利技术公开了一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压。本发明专利技术通过采用间隔采样、合并法和插值函数对数据进行评估，大幅度降低了评估的数据量提升了评估效率，同时增加统计评估的最优电压与实际最优电压的位置差异，对评估的电压做进一步的修正，提高了准确度。

A fast method for evaluating the optimum reading voltage

The invention discloses a method for rapid assessment of optimal read voltage, which comprises the statistical calibration stage and stage; stage by statistical sample statistics to obtain the sample storage unit voltage distribution curve and the optimal position of the trough read voltage difference DV, interpolation function and sampling interval; calibration stage: according to statistics, phase difference DV the interpolation function and the optimal sampling interval of rapid assessment of the actual FLASH to operate data block read voltage. The invention of sampling, by using interval merging method and interpolation function to evaluate data, greatly reduces the amount of data to enhance the evaluation efficiency evaluation, position difference between the optimal voltage and increase the statistical evaluation and the actual optimal voltage, voltage on the assessment for further amendments to improve the accuracy.

【技术实现步骤摘要】
一种快速评估最优读电压的方法
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种快速评估最优读电压的方法。
技术介绍
获取最优读电压OptimalVref是NFC对NandFlash进行读操作的基础，OptimalVref直接影响了NFC读Nand的效率，以及译码的效果。传统的电压校准法VrefCalibration是目前使用最广泛的技术，通过设置不同的读取电压，读取整个word_line上的数据，包括低页lowpage、中页midpage和高页uppage,因此需要读取的原始数据非常多，以TLC为例，TLC设置7档读电压，如果每档又分10级统计，整个wordline要完成统计则应用需要读取7*10个page的数据。因此存在统计数据量过多的问题；实际将cell电压分布图的波谷位置作为OptimalVref并不准确且该方法统计出的结果误差较大。目前使用最为广泛的评估方法是参考电压校准法VrefCalibration，该方法是通过逐级评估各档读电压，当评估其中一档时，其他档不动，画出Nand中该档各个存储单元的cell电压分布图，其波谷处的电压即为该档的最优读电压OptimalVref，依次统计其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压。

【技术特征摘要】
1.一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压。2.根据权利要求1所述快速评估最优读电压的方法，其特征在于通过对待评估的批次FLASH中随机抽取FLASH样本，再在FLASH样本中随机抽取多个block作为块样本，将预先定义好的数据写入所选的块样本中；采用交叉法计算每个块样本的块真实最优读电压，定义为交叉读电压OptimalVref1；采用合并法根据存储单元电压获得电压分布图并计算每个块样本的块最优读电压，定义为合并读电压OptimalVerf2；获得差值dv：dv＝OptimalVref1-OptimalVref2，根据dv和插值函数估计的最优读电压OptimalVref3，不断修改插值函数和采样间隔评估OptimalVref3，直到OptimalVref1与OptimalVref3之间偏差满足预先设定的偏差范围，获得该批次FLASH样本的dv、插值函数、采样间隔和参考最优读电压OptimalVref，并记录。3.根据权利要求2所述的快速评估最优读电压的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：伦建坤，郭超，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44