参考电流获取单元、只读存储器及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于只读存储器的参考电流获取单元、只读存储器及电子装置，其中该参考电流获取单元包括：电流镜电路，其包括至少一个输入支路和至少一个输出支路；参考电流支路，其用于为所述至少一个输入支路提供参考电流；开关电路，其连接在所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间，以在控制端信号的作用下控制所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间的导通。本发明专利技术提供的。本发明专利技术提供的参考电流获取单元大大降低了漏电流，从而降低了器件功耗。本发明专利技术的只读存储器及电子装置由于具有该参考电流获取单元，因而具有类似的优点。

Reference current acquisition unit, read only memory, and electronic device

The present invention provides a method for obtaining a read-only memory unit, and electronic device for reference current read-only memory, wherein the reference current acquisition unit comprises a current mirror circuit, which comprises at least one branch of the input and output of at least one branch; reference current branch, used to provide at least one input reference current of the branch; switch circuit, connected reference in the current branch and the at least one input branch, to control the current branch between the reference and the at least one input branch in control signals under the action of conduction. Provided by the invention. The reference current acquisition unit provided by the invention greatly reduces the leakage current, thereby reducing the power consumption of the device. The read-only memory and the electronic device of the present invention have similar advantages due to the acquisition unit of the reference current.

【技术实现步骤摘要】
参考电流获取单元、只读存储器及电子装置
本专利技术涉及集成电路
，具体而言涉及一种用于只读存储器的参考电流获取单元、只读存储器及电子装置。
技术介绍
在只读存储器(ROM)中，设计有参考电流获取单元，该参考电流获取单元包括电流镜电路，以复制微存储单元(该微存储单元存在于只读存储器的逻辑电路部分，而不是存储阵列部分，且与存储阵列中的存储单元完全相同)在读操作时的读电流以获得稳定的参考电流，该稳定的参考电流会影响只读存储器的读裕度(readmargin)。图1示出一种用于只读存储器的参考电流获取单元电路示意图。如图1所示，图中PM1、PM4、PNM5、M0组成电流镜电路，用于复制微存储单元NM1的读电流，以在读操作时为位线进行预充电。图1所示电路中，PM1、PM4、PNM5组成电流镜的输入支路，其栅、漏端连接在一起，当该电路稳定时，PM1、PM4、PNM5栅、漏端的电压Vref处于稳定状态，在Vref的偏置下，输出支路的晶体管M0输出端镜像电流，从而为位线进行预充电。在图1的示例中，微存储单元NM1上的读电流为PM1、PM4、PNM5组成的输入支路提供参考电流，当PM1、PM4、P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于只读存储器的参考电流获取单元，其特征在于，包括：电流镜电路，其包括至少一个输入支路和至少一个输出支路；参考电流支路，其用于为所述至少一个输入支路提供参考电流；开关电路，其连接在所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间，以在控制端信号的作用下控制所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间的导通。

【技术特征摘要】
1.一种用于只读存储器的参考电流获取单元，其特征在于，包括：电流镜电路，其包括至少一个输入支路和至少一个输出支路；参考电流支路，其用于为所述至少一个输入支路提供参考电流；开关电路，其连接在所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间，以在控制端信号的作用下控制所述参考电流支路和所述至少一个输入支路之间的导通。2.根据权利要求1所述的参考电流获取单元，其特征在于，所述至少一个输入支路中的每个输入支路均包括输入MOS晶体管，每个所述输入MOS晶体管的栅端和漏端连接在一起，形成参考电压端，每个所述输入MOS晶体管的源端与工作电源或低电平连接；所述至少一个输出支路中的每个输出支路均包括输出MOS晶体管，每个所述输出MOS晶体管的源端与工作电源或低电平连接，漏端与输出端连接，栅端与所述参考电压端连接。3.根据权利要求2所述的参考电流获取单元，其特征在于，所述输入MOS晶体管和输出MOS晶体管均为PMOS管，每个所述输入PMOS晶体管的源端与工作电源连接，每个所述输出PMOS晶体管的源端与工作电源连接。4.根据权利要求1-3之一所述的参考电流获取单元，其特征在于，所述开关电路包括第一反相器和开关晶体管，其中所述开关晶体管连接在所述参考电流支路的输出端和所述至少一个输入支路之间；所述第一反相器的输入端与所述控制端连接，所述反相器的输出端与所述开关晶体管的栅端连接。5.根据权利要求4所述的参考电流获取单元，其特征在于，所述开关晶体管为NMOS管。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜敏，李智，侯海华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31