非易失性存储器的驱动电路制造技术

一种驱动电路包括驱动级，内有第一电平切换器与第二电平切换器。第一电平切换器，具有第一输入端接收第一控制信号，第一反相输入端接收反相的第一控制信号，第一输出端与第二输出端。第二电平切换器，具有第二输入端接收第二控制信号，第二反相输入端接收反相的第二控制信号，第三输出端与第四输出端。其中该第一输出端直接连接至该第三输出端，用以产生输出信号，且该第二输出端直接连接至该第四输出端，用以产生反相的输出信号。其中，该第一电平切换器与该第二电平切换器的其中之一根据致能信号组，操作于第一操作模式。

Drive circuit for non-volatile memory

A drive circuit includes a drive stage with a first level switch and a second level switch. The first level switcher has a first input terminal to receive the first control signal, and the first inverting input receives the first control signal in reverse phase, the first output end and the second output end. The second level switcher has a second input terminal to receive the second control signal, and the second inverting input receives the inverting second control signal, the third output end and the fourth output end. Wherein, the first output terminal is directly connected to the third output terminal to generate an output signal, and the second output terminal is directly connected to the fourth output terminal to generate an inverting output signal. Wherein, the first level switch is connected with one of the second level switches according to the energy signal group and operates in the first operation mode.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器的驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路，且特别涉及一种运用于非易失性存储器的驱动电路。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器可在电源消失之后，仍可保存数据，因此非易失性存储器已经广泛的运用于电子产品中。再者，非易失性存储器中包括多个非易失性存储单元(non-volatilecell)排列而成非易失性存储单元阵列(non-volatilecellarray)，而每个非易失性存储单元中皆包含浮动栅晶体管(floatinggatetransistor)。另外，非易失性存储器中还包括电压供应电路(voltagesupplyingcircuit)与驱动电路(drivingcircuit)。为了让非易失性存储器具备极低功耗(ultralowpowerconsumption)的性能，因此电压供应电路需要在非易失性存储器的各操作模式(operationmode)下提供适当的系统电压至驱动电路，使得驱动电路提供适当的逻辑电平至非易失性存储单元阵列。举例来说，根据非易失性存储单元阵列的操作模式，驱动电路提供适当的逻辑电平来操控非易失性存储单元阵列进行读取操作(readoperation)或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动电路，连接至非易失性存储单元阵列，该驱动电路包括驱动级，该驱动级包括：第一电平切换器，具有第一输入端接收第一控制信号，第一反相输入端接收反相的第一控制信号，第一输出端与第二输出端；以及第二电平切换器，具有第二输入端接收第二控制信号，第二反相输入端接收反相的第二控制信号，第三输出端与第四输出端，其中该第一输出端直接连接至该第三输出端，用以产生输出信号，且该第二输出端直接连接至该第四输出端，用以产生反相的输出信号；其中，该第一电平切换器与该第二电平切换器根据致能信号组，于第一操作模式时，致能该第一电平切换器，且于第二操作模式时，致能该第二电平切换器。

【技术特征摘要】
2016.01.19 US 62/280,6831.一种驱动电路，连接至非易失性存储单元阵列，该驱动电路包括驱动级，该驱动级包括：第一电平切换器，具有第一输入端接收第一控制信号，第一反相输入端接收反相的第一控制信号，第一输出端与第二输出端；以及第二电平切换器，具有第二输入端接收第二控制信号，第二反相输入端接收反相的第二控制信号，第三输出端与第四输出端，其中该第一输出端直接连接至该第三输出端，用以产生输出信号，且该第二输出端直接连接至该第四输出端，用以产生反相的输出信号；其中，该第一电平切换器与该第二电平切换器根据致能信号组，于第一操作模式时，致能该第一电平切换器，且于第二操作模式时，致能该第二电平切换器。2.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一电平切换器为第一交叉栓锁器，且该第二电平切换器为第二交叉栓锁器。3.如权利要求1所述的驱动电路，还具有控制级，该控制级包括：第一控制电路，接收第一输入信号与反相的第一输入信号并转换为该第一控制信号与该反相的第一控制信号；第二控制电路，接收第二输入信号与反相的第二输入信号并转换为该第二控制信号与该反相的第二控制信号；以及致能电路，接收该第一输入信号、该反相的第一输入信号、该第二输入信号与该反相的第二输入信号并产生该致能信号组，用以禁能该第一电平转换器或者该第二电平转换器。4.如权利要求3所述的驱动电路，其中该第一控制电路与该第二控制电路接收第一供应电压，使得该第一控制信号、该反相的第一控制信号、该第二控制信号与该反相的第二控制信号的信号范围在该第一供应电压与接地电压之间。5.如权利要求1所述的驱动电路，其中该致能信号组包括第一致能信号、第二致能信号、第三致能信号、反相的第三致能信号与第四致能信号，且该第二电平切换器包括：第一p型晶体管，具有源极连接至第二供应电压、栅极连接至节点y1；第二p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极连接至节点y2；第三p型晶体管，具有源极连接至该第一p型晶体管的漏极、栅极接收该第二致能信号、漏极连接至该节点y2；第四p型晶体管，具有源极连接至该第二p型晶体管的漏极、栅极接收该第二致能信号、漏极连接至该节点y1；第五p型晶体管，具有源极连接至该节点y2、栅极接收该第四致能信号；第六p型晶体管，具有源极连接至该节点y1、栅极接收该第四致能信号；第七p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极与漏极连接至该节点y2；第八p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极与漏极连接至该节点y1；第一n型晶体管，具有源极连接至第三供应电压、栅极接收该第二控制信号；第二n型晶体管，具有源极连接至该第三供应电压、栅极接收该反相的第二控制信号；第三n型晶体管，具有源极连接至该第一n型晶体管的漏极、栅极接收该第三致能信号、漏极连接至该第五p型晶体管的漏极；以及第四n型晶体管，具有源极连接至该第二n型晶体管的漏极、栅极接收该第三致能信号、漏极连接至该第六p型晶体管的漏极。6.如权利要求5所述的驱动电路，其中该第一电平切换器包括：第九p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极连接至节点x1；第十p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极连接至节点x2；第十一p型晶体管，具有源极连接至该第九p型晶体管的漏极、栅极接收该第一致能信号、漏极连接至该节点x2；第十二p型晶体管，具有源极连接至该第十p型晶体管的漏极、栅极接收该第一致能信号、漏极连接至该节点x1；第十三p型晶体管，具有源极连接至该节点x2、栅极接收该第四致能信号；第十四p型晶体管，具有源极连接至该节点x1、栅极接收该第四致能信号；第十五p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极与漏极连接至该节点x2；第十六p型晶体管，具有源极连接至该第二供应电压、栅极与漏极连接至该节点x1；第五n型晶体管，具有源极连接至该第三供应电压、栅极接收该第一控制信号；第六n型晶体管，具有源极连接至该第三供应电压、栅极接收该反相的第一控制信号；第七n型晶体管，具有源极连接至该第五n型晶体管的漏极、栅极接收该第三致能信号、漏极连接至该第十三p型晶体管的漏极；以及第八n型晶体管，具有源极连接至该第六n型晶体管的漏极、栅极接收该第三致能信号、漏极连接至该第十四p型晶体管的漏极；其中，该节点x1直接连接至该节点y1，以产生该输出信号；该节点x2直接连接至该节点y2，以产生该反相的输出信号。7.如权利要求6所述的驱动电路，其中该第一电平切换器中的p型晶体管与n型晶体管具有第一尺寸比例，该第二电平切换器中的p型晶体管与n型晶体管具有第二尺寸比例，且该第一尺寸比例大于该第二尺寸比例。8.如权利要求6所述的驱动电路，其中于该第一操作模式时，该第一供应电压具有第一电压值、该第二供应电压等于该第一电压值，该第三供应电压等于该接地电压；且于该第二操作模式时，该第一供应电压具有第二电压值、该第二供应电压等于N倍的该第二电压值，该第三供应电压等于该接地电压，第四供应电压等于M倍的该第二电压值，且N大于M。9.如权利要求6所述的驱动电路，其中该第一电平切换器包括：第一下拉电路，连接于该节点x2与该电三供应电压之间；以及第二下拉电路，连接于该节点x1与该电三供应电压之间；其中，当该输出信号为该第二供应电压且该反相的输出信号为该第三供应电压时，该第一下拉电路动作且该第二下拉电路不动作；以及，当该输出信号为该第三供应电压且该反相的输出信号为该第二供应电压时，该第一下拉电路不动作且该第二下拉电路动作。10.如权利要求9所述的驱动电路，其中该第一下拉电路包括：第九n型晶体管具有漏极连接至该节点x2、栅极接收该第三致能信号；第十n型晶体管，具有漏极连接至该第九n型晶体管的源极、栅极接收该第一控制信号、源极连接至该...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏正豪，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71