用于电子束直写（EBDW）光刻的下方吸收或传导层制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子束直写(EBDW)光刻的下方吸收或传导层相关申请的交叉引用本申请要求于2015年1月14日提交的美国临时申请No.62/103,459的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术的实施例属于光刻领域，具体而言，属于涉及互补电子束光刻(CEBL)的光刻领域。
技术介绍
过去几十年中，集成电路中对特征的缩放是日益增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征实现了功能单元在半导体芯片的有限基板面上增大的密度。集成电路通常包括在本领域中称为过孔的导电微电子结构。过孔用于将过孔上方的金属线电连接到过孔下方的金属线。过孔通常由光刻工艺形成。代表性地，可以将光致抗蚀剂层旋涂在电介质层上，光致抗蚀剂层可以通过图案化掩模曝光于图案化光化辐射，然后可以将曝光的层显影以便在光致抗蚀剂层中形成开口。接下来，通过使用光致抗蚀剂层中的开口作为蚀刻掩模，可以在电介质层中蚀刻过孔的开口。该开口被称为过孔开口。最后，过孔开口可以用一种或多种金属或其它导电材料填充以形成过孔。过去，过孔的尺寸和间隔逐渐减小，预计在未来，至少对于某些类型的集成电路(例如，高级微处理器、芯片组部件、图形...
【技术保护点】
一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导出大部分所述入射电子，以减少反向散射。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.14 US 62/103,4591.一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导出大部分所述入射电子，以减少反向散射。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：铬(Cr)层、硅化钼(MoSi)层、氮化钛(TiN)层、氮化钽(TaN)层、硅(Si)层、诸如石墨烯层之类的碳旋涂层、CVD沉积的碳层、旋涂玻璃层、钨(W)层、铜(Cu)层、钴(Co)层、氮化硅(SiN)层、碳化硅(SiC)层和二氧化硅(SiO2)层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：钌(Ru)层、钛(Ti)层、镍(Ni)层、铝(Al)层、铪(Hf)层、钽(Ta)层、锆(Zr)层或其合金层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是单一材料层。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是多个材料层的叠置体。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层具有的厚度大约在1-200纳米的范围内。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片进一步提供有上部电荷耗散层，所述上部电荷耗散层设置在所述抗蚀剂层上方。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在执行电子束直写光刻后，显影所述抗蚀剂层并蚀刻所述吸收或传导层以及位于所述吸收或传导层下方的层。9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述电子束直写光刻包括使用大约在10kEV至200kEV范围内的电子束，其中电流大约在几uC/cm2至几百uC/cm2的范围内。10.一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导大部分所述入射电子以调节反向散射。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：铬(Cr)层、硅化钼(MoSi)层、氮化钛(TiN)层、氮化钽(TaN)层、硅(Si)层、诸如石墨烯层之类的碳旋涂层、CVD沉积的碳层、旋涂玻璃层、钨(W)层、铜(Cu)层、钴(Co)层、氮化硅(SiN)层、碳化硅(SiC)...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·坦登，Y·A·波罗多维斯基，C·H·华莱士，P·A·尼许斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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