具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物制造技术

本发明专利技术涉及一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物
本专利技术涉及一种有用于从其上具有抗反射材料及/或蚀刻后残留物的微电子装置去除所述材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述液体去除组成物可与下层电介质材料、互连金属(例如，铝、铜及钴合金)及含氮化物层兼容。
技术介绍
当暴露于深紫外(DUV)辐射时，众所周知的是光致抗蚀剂的透射率组合衬底对DUV波长的高反射率导致DUV辐射反射回到光致抗蚀剂中，由此在光致抗蚀剂层中产生驻波。驻波在光致抗蚀剂中触发进一步的光化学反应，导致光致抗蚀剂的不均匀曝光，包含在不欲暴露到辐射的经遮蔽部分中，这导致线宽、间距及其它关键尺寸的变化。为了解决透射率及反射率的问题，已发展出双层及三层光致抗蚀剂、底部抗反射涂层(BARC)及牺牲抗反射涂层(SARC)。此类涂层在涂布光致抗蚀剂之前涂布到衬底。所有此类抗反射涂层均在典型双重镶嵌集成中所遇到的晶片表面上具有平面化效果，且均将UV发色团并入到将会吸收入射UV辐射的旋涂聚合物基质中。已证实从微电子装置晶片清洁去除抗反射涂层(ARC)材料相当困难及/或成本昂贵。如果未去除，那么所述层将会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液体去除组成物，其包括至少一种含氟化物的化合物、至少一种有机溶剂、任选地水，及电介质钝化剂及/或腐蚀抑制剂及/或至少一种含硅化合物中的至少一者，其中所述液体去除组成物可用于从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的微电子装置去除所述材料及/或残留物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.04 US 62/007,7121.一种液体去除组成物，其包括至少一种含氟化物的化合物、至少一种有机溶剂、任选地水，及电介质钝化剂及/或腐蚀抑制剂及/或至少一种含硅化合物中的至少一者，其中所述液体去除组成物可用于从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的微电子装置去除所述材料及/或残留物。2.根据权利要求1所述的液体去除组成物，其包括至少一种电介质钝化剂，其中所述电介质钝化剂包括选自由以下项组成的群组的物质：丙二酸、硼酸、硼酸氢铵、五硼酸铵、四硼酸钠、硼酸氢铵、3-羟基-2-萘甲酸、亚氨二乙酸及其组合，优选为硼酸。3.根据权利要求1或2所述的液体去除组成物，其包括至少一种腐蚀抑制剂，其中所述腐蚀抑制剂包括选自由以下项组成的群组的物质：苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、5-氨基四唑(ATA)、1-羟基苯并三唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、3-氨基-1H-1,2,4-三唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、甲苯三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、卤基-苯并三唑(卤基＝F、Cl、Br或I)、萘并三唑、1H-四唑-5-乙酸、2-巯基苯并噻唑(2-MBT)、1-苯基-2-四唑啉-5-硫酮、2-巯基苯并咪唑(MBI)、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巯基噻唑啉、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、咪唑、苯并咪唑、三嗪、甲基四唑、试铋硫醇I(BismuthiolI)、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五亚甲基四唑、1-苯基-5-巯基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、吲唑、DNA碱基、吡唑、丙硫醇、抗坏血酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、尿素、尿素衍生物、尿酸、乙基黄原酸钾、甘氨酸、十二烷基苯磺酸(DDBSA)、酒石酸、N,N-二甲基乙酰乙酰胺、1-亚硝基-2-萘酚、聚山梨酸酯80(Tween80)、十二烷基膦酸(DDPA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1,2-亚环己基二氮基)四乙酸(CDTA)、二亚乙三胺五乙酸(DTPA)、2-膦酰丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、乙二胺二琥珀酸、丙二胺四乙酸；膦酸；羟基亚乙基二膦酸(HEDP)(Dequest2010)、1-羟乙烷-1,1-二膦酸、氮基-三(亚甲基膦酸)(NTMP)、氨基三(亚甲基膦酸)(Dequest2000)、二亚乙三胺五(亚甲基膦酸)(Dequest2060S)、乙二胺四(亚甲基膦酸)(EDTMPA)及其组合，优选为DDPA。4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的液体去除组成物，其包括至少一种含硅化合物，其中所述含硅化合物包括选自由以下项组成的群组的物质：甲基三甲氧硅烷、二甲基二甲氧硅烷、苯基三甲氧硅烷、四乙氧硅烷(TEOS)、N-丙基三甲氧硅烷、N-丙...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃马纽尔·I·库珀，斯蒂芬·里皮，宋凌雁，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US