半导体存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

半导体存储器装置及其操作方法。在实施方式中，一种操作半导体存储器装置的方法可以包括以下步骤：对选择的存储器块执行读取操作；以及在所述读取操作期间，使局部选择线能够浮置，使得联接至未选择的存储器块的局部字线的电位电平增加。

Semiconductor memory device and operation method thereof

Semiconductor memory device and operation method thereof. In one embodiment, a method for operating a semiconductor memory device comprises the following steps: the selection of the memory block executes a read operation; and read operations in the period, the local selection of line can be floating, which connected to the potential level of non selected memory block local word line increase.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其操作方法
本公开的各种实施方式总体上涉及半导体存储器装置及其操作方法，并且更具体地，涉及一种具有多个存储器块的半导体存储器装置及其操作方法。
技术介绍
可以将半导体存储器装置分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。尽管非易失性存储器装置具有慢的编程/读取操作速度，然而它能够即使在缺少电源的情况下也保持其数据。因此，非易失性存储器装置可以被用于二级存储的任务，这在装置被断电时不丢失数据。非易失性存储器装置的示例可以包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪速存储器被分类为NOR型存储器和NAND型存储器。像随机存取存储器(RAM)一样，闪速存储器能够被写入和擦除多次，并且像ROM一样，闪速存储器能够即使在电力中断时也保持其数据。最近，闪速存储器被广泛用作诸如数码相机、智能电话、个人数字助手(PDA)和MP3这样的便携式电子装置的存储介质。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对选择的存储器块执行读取操作；以及在所述读取操作期间，使局部选择线能够浮置，使得联接至未选择的存储器块的局部字线的电位电平增加。

【技术特征摘要】
2016.01.19 KR 10-2016-00065841.一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对选择的存储器块执行读取操作；以及在所述读取操作期间，使局部选择线能够浮置，使得联接至未选择的存储器块的局部字线的电位电平增加。2.根据权利要求1所述的方法，其中，为了使得所述局部选择线能够浮置，联接至所述未选择的存储器块的全局选择线和所述局部选择线彼此分离。3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：当所述局部选择线正处于浮置时，使全局字线和所述所述局部字线彼此分离，使得联接至所述未选择的存储器块的所述局部字线正处于浮置。4.根据权利要求3所述的方法，其中，施加到与所述未选择的存储器块联接的全局选择线的电压与施加到与所述选择的存储器块联接的全局选择线的电压相同，并且施加到与所述未选择的存储器块联接的全局字线的电压与施加到与所述选择的存储器块联接的全局字线的电压相同。5.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：当所述局部选择线浮置时，将联接至所述未选择的存储器块的所述局部字线拉至接地。6.根据权利要求5所述的方法，其中，将联接至所述未选择的存储器块的所述局部字线拉至接地的步骤包括以下步骤：将联接至所述未选择的存储器块的全局字线拉至接地；以及将联接至所述未选择的存储器块的所述全局字线与联接至所述未选择的存储器块的所述局部字线彼此联接。7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：将联接至所述未选择的存储器块的所述局部选择线中的一些拉至接地。8.根据权利要求7所述的方法，其中，在联接至所述未选择的存储器块的所述局部选择线当中，局部漏极选择线正处于浮置，并且局部源极选择线被拉至接地。9.一种操作半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：执行选择的存储器块的读取操作；以及在所述读取操作期间，将联接至未选择的存储器块的局部选择线拉至接地。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将联接至未选择的存储器块的局部选择线拉至接地的步骤包括以下步骤：将联接至所述未选择的存储器块的全局选择线拉至接地；以及将联接至所述未选择的存储器块的所述全局选择线和所述局部选择线彼此联接。11.根据权利要求9...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR