一种选通开关电路及包含该电路的存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种选通开关电路及包含该电路的存储器，所述选通开关电路包括：存储单元连接端、读开关管、编程开关管、读输入端和编程输入端，所述读开关管的数量为一个，所述读输入端通过读开关管与存储单元连接端连接，用于在接收到读控制信号时导通所述存储单元连接端和读输入端。本实用新型专利技术实施例提供的一种选通开关电路通过控制一个读开关管导通所述读输入端与存储单元连接端之间的通路，实现了在对存储单元进行读操作时，减小所述选通开关电路的导通电阻，增加导通速度，进而提高读取速度的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种选通开关电路及包含该电路的存储器
本技术涉及存储器
，尤其涉及一种选通开关电路及包含该电路的存储器。
技术介绍
快闪存储器(flashmemory)是一种非易失性存储器(Non-volatilememory)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。在flash存储器中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。图1是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极20、源极21、漏极22、P型硅半导体衬底23、以及隧穿氧化层24。其相互间的连接为：P型硅半导体衬底23扩散出两个N型区，P型硅半导体衬底23上方覆盖一层隧穿氧化层24，最后在N型区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：栅极20、源极21和漏极22，源极21和漏极22分别对应两个N型区且栅极20为存储单元的字线，漏极22为存储单元的位线。进一步的，栅极20又包括控制栅极201、多晶硅层间电介质202(InterPolyD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选通开关电路，包括存储单元连接端、读开关管、编程开关管、读输入端和编程输入端，其特征在于：所述读开关管的数量为一个，所述读输入端通过读开关管与存储单元连接端连接，用于在接收到读控制信号时导通所述存储单元连接端和读输入端。

【技术特征摘要】
1.一种选通开关电路，包括存储单元连接端、读开关管、编程开关管、读输入端和编程输入端，其特征在于：所述读开关管的数量为一个，所述读输入端通过读开关管与存储单元连接端连接，用于在接收到读控制信号时导通所述存储单元连接端和读输入端。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述编程开关管的数量为两个，所述编程输入端通过串联的两个编程开关管与存储单元连接端连接，用于在分别接收到两个编...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，张建军，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11