光刻胶组合物和制造图案化器件的方法技术

公开光刻胶组合物和制造图案化器件的方法。所述光刻胶组合物包括：包括结合有含硅离去基团的重复单元的光刻胶聚合物、包括氟化锍的光致产氟剂、和溶剂。

Photoresist composition and method for manufacturing patterning device

Disclosed are photoresist compositions and methods of fabricating patterned devices. The photoresist composition includes a photoresist polymer comprising a repeating unit containing a silicon leaving group, a light emitting agent including a fluoride, a light emitting agent, and a solvent.

【技术实现步骤摘要】
光刻胶组合物和制造图案化器件的方法相关申请的交叉引用要求2015年12月9日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2015-0175067的优先权，将其内容全部引入本文作为参考。
实例实施方式涉及光刻胶组合物、具有光刻胶层的中间产品、以及制造图案化器件和半导体器件的方法。更具体地，实例实施方式涉及包括光刻胶聚合物的光刻胶组合物、具有包括光刻胶聚合物的光刻胶层的中间产品、以及使用包括光刻胶聚合物的光刻胶组合物制造图案化器件和半导体器件的方法。
技术介绍
光刻工艺被用于形成半导体器件中的材料层图案。在一种类型的光刻工艺中，将光刻胶层在曝光工艺中(例如通过光源)部分地曝光以限定光刻胶层的曝光部分和未曝光部分，然后在显影工艺中将曝光部分或未曝光部分除去以形成光刻胶图案。可使用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻位于光刻胶图案下面的对象(目标)层以在对象层中形成期望的图案。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一个方面，提供包括如下的光刻胶组合物：包括结合有含硅离去基团的重复单元的光刻胶聚合物、包括氟化锍的光致产氟剂(photo-fluorinegenerator)、和溶剂。根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
光刻胶组合物，其包括：包括结合有含硅离去基团的重复单元的光刻胶聚合物；包括氟化锍的光致产氟剂；和溶剂。

【技术特征摘要】
2015.12.09 KR 10-2015-01750671.光刻胶组合物，其包括：包括结合有含硅离去基团的重复单元的光刻胶聚合物；包括氟化锍的光致产氟剂；和溶剂。2.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其中所述光致产氟剂的结构由化学式1表示：化学式1其中R1、R2和R3独立地为氢、C1-C20脂族烃基、或者包括氮(N)、氧(O)和卤素的至少一种的C1-C20杂脂族烃基。3.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其中所述含硅离去基团经由酯基团连接至所述光刻胶聚合物的主链。4.如权利要求3所述的光刻胶组合物，其中所述包括含硅离去基团的重复单元的结构由化学式2或化学式3表示：化学式2化学式3其中R4、R5和R6独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或者C6-C30芳族基团，且R9为氢或甲基，和X表示选自如下的二价基团：苯乙烯、羟基苯乙烯、丙烯酸酯、苯、羟基苯、C1-C6亚烷基、C6-C30亚芳基、羰基、氧基、C2-C30不饱和脂族基团、或者其两种或更多种的组合。5.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其中所述含硅离去基团经由至少两个连接体基团连接至所述光刻胶聚合物的主链。6.如权利要求5所述的光刻胶组合物，其中所述连接体基团包括酯基团。7.如权利要求6所述的光刻胶组合物，其中所述包括含硅离去基团的重复单元的结构由化学式4表示：化学式4其中R7和R8独立地为氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基或者C6-C30芳族基团，且R10和R11独立地为氢或甲基，且n表示1-20的自然数。8.如权利要求1所述的光刻胶组合物，其进一步包括能够产生氟的敏化剂。9.如权利要求8所述的光刻胶组合物，其中所述敏化剂包括芳族化合物，所述芳族化合物包括氟取代基和包含未共享电子对的取代基。10.如权利要求9所述的光刻胶组合物，其中所述敏化剂的结构由化学式5表示：化学式5其中F表示氟取代基，并且所述氟取代基的数量为在1和5之间的整数，包括两个端点，和Y表示包含未共享电子对的取代基，且Y包括羟基...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴珍，金贤友，韩镇圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR