制备用于环烯烃聚合的鏻化合物的方法技术

本发明专利技术提供了一种通过由［（Ｒ１）－Ｐ（Ｒ２）ａ（Ｒ２）ｂ］ＨＸ表示的质子鏻化合物与由［Ｃ］［Ａｎｉ］表示的盐化合物反应制备鏻化合物的方法。因此，可以以高产率制备用作用于极性环烯烃聚合物制备的助催化剂的鏻化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备鳞化合物的方法，并且更具体而言，涉及一 种制备用于在具有极性官能团的环烯烃单体聚合的催化剂体系中用作 助催化剂的鳞化合物的方法。
技术介绍
环烯烃聚合物是由如降冰片烯的环烯烃单体组成的聚合物，与常 规的基于烯烃的聚合物相比，其具有更好的透明度、耐热性和耐化学性以及更低的双折射和吸湿性，并且因此可广泛用作用于CD、 DVD 或POF(塑料光学纤维)的光学材料；用于电容器薄膜或低电介质的信息 和电子材料；用于4氐吸收注射器或吸塑包装(blister packagings)的医疗材料等。通常，为使聚合物用作信息和电子材料，该聚合物需对如硅、 氧化硅、氮化硅、氧化铝、铜、铝、金、4艮、柏、钛、镍、钽或 铬的金属表面具有粘附力。因此，为了调节其对金属的粘附力以 及基于降冰片烯的聚合物的电子、光学、化学和物理特性，已经 尝试将极性官能团并入基于降水片烯的单体。然而，将极性官能团并入基于降冰片烯的单体降低了催化剂的活性或者需要过量的 催化剂。例如，美国专利号5,705,503公开了 一种使用催化剂配合物 ((Allyl)PdCl)2/AgSbF6来聚合具有极性官能团的基于降水片烯的单 体的方法。然而，由于使用过量的催化剂(相对于单体1/100-1/250),在最终获得的聚合物中剩余了过量的催化剂残留物。因为 这个原因，上述聚合物可能通过热氧化降解，并且其透光率可能 下降。此外，在阳离子催化剂2存在下的酯化降冰 片烯单体(ester norbornene monomer)的聚合中，聚合产率低且只有 外型异构体可被选择性地聚合。在含有酯基或乙酰基的降冰片烯 的聚合中，需要过量的催化剂(相对于单体约为1/100 1/400),并 且因此在聚合后难以去除催化剂残留物。同时，有报道称在环烯烃聚合中使用助催化剂增强了催化剂 的活性。已经使用如天然膦化合物或铵化合物的能够与金属形成 强cj键的化合物作为助催化剂。例如，Sen等人报导 了用催化且用膦(PPh3)和 +-助催化的酯化降冰片烯聚合，其中使用 了过量的催化剂(相对于单体约为1/400)，因此生成分子量为6,500 的聚合物(产率40%或更低)。美国专利号6,455,650公开了 一种在催化剂配合物 bd存在下聚合具有官能团的基于降水片烯 的单体的方法，在该催化剂配合物中使用含有膦和烃基(如烯丙基) 的烃作为配体。但是，具有极性官能团(如羰基)的基于降水片烯的 单体的聚合中产物产率非常低(5%)。因此，在美国专利号6，455，650 中公开的聚合方法不适用于制备具有极性官能团(如羰基)的聚合 物。美国专利号5，468，819、 5,569,730、 5,912,313和6,031，058也无 法满足所需的产率。如上所述，用于具有极性官能团的环烯烃单体的聚合的催化 剂体系包括多种助催化剂。但是，由于催化剂-单体相互作用仍然 存在催化剂活性降低的问题。在WO 2005/019277 、 韩国专利申请号2004-0052612和 2004-0074307中已经提出了将鳞化合物作为上述助催化剂的替代 物的用途，但这些文献中没有关于辚化合物的有效制备的记载。因此，有必要开发一种简便地并以高产率制备鳞化合物的方 法，该辚化合物可用作用于具有极性官能团的环烯烃单体的聚合 的催化剂体系中的助催化剂。
技术实现思路
技术方案本专利技术提供了 一种制备辚化合物的方法，所述鱗化合物可用 作用于环烯烃制备的催化剂系统中的助催化剂。根据本专利技术的一个方面，提供了一种制备由如下通式1表示 的鳞化合物的方法，该方法使由如下通式2表示的辚化合物与由 如下通式3表示的盐化合物接触<通式1><formula>formula see original document page 10</formula>] 其中，在a+b+c=3的条4牛下，a、 b和c各自为0 ~ 3的整凄t, Z为氧、碌"石圭或氮，当Z为氧或石克时d为l,当Z为氮时d为2，以及当Z为硅 时d为3，&为氢、烷基或芳基，R2、 112，和R3各自独立地为氢；未取代或被烃、卣素或C,.20卣代烷基取代的直链或支链d.20烷基、烷氧基、烯丙基、链烯基或乙烯基；未取代或被烃、面素或卤代烷基取代的(:3.12环烷 基；未取代或被烃、卣素或Q-20卣代烷基取代的C6—4o芳基；未取 代或被烃、囟素或卣代烷基取代的(:7_15芳烷基；未取代或被烃、卣素或Cwo卣代烷基取代的C3々o炔基；三(直链或支链C,-,o烷基)曱硅烷基；三(直链或支链Cwo烷氧基)甲硅烷基；三((:3-12环烷基)甲硅烷基，其中C3-,2环烷基部分为未取代的或被烃、卤素 或d-20卤代烷基取代；三(Q-40芳基)曱硅烷基，其中C6-4Q芳基部 分为未取代的或被烃、卣素或C,.20囟代烷基取代；三(C6-4Q芳氧基) 曱硅烷基，其中C6-4。芳氧基部分为未取代的或被烃、卣素或C,-20卣代烷基取代；三(直链或支链Cwo烷基)曱硅烷氧基；三(Cw2环烷基)曱硅烷氧基，其中Cw2环烷基部分为未取代的或被烃、卤素 或C,.20卣代烷基取代；或者三(C6-4o芳基)曱硅烷氧基，其中C6-40 芳基部分为未取代的或被烃、卣素或Cwo卣代烷基取代，并且为硼酸根、铝酸根、-、 -、 -、全氟乙酸 根(-)、 全氟丙酸根(-)、 全氟丁酸根 (-)、高氯酸根(-)、 对曱苯磺酸根 (-)、 -、硼杂苯基(boratabenzene)或者未取 代或被卣素取代的碳硼烷，<通式2>HX其中，H为氢，X为卤素原子，以及Ri、 R2、 Rr、 a和b如 上所定义，以及 <通式3>其中，C为石咸金属或MgX,以及如上所定义。本专利技术的制备方法可以进一步包括通过用酸处理由如下通式 4表示的膦化合物制备通式2表示的辚化合物 <通式4>其中，R,、 R2、 R2,、 a和b如上所定义。 有益效果根据本专利技术的制备辚化合物的方法，可以以高产率制备用作 用于极性环烯烃聚合物的制备的助催化剂的辚化合物。附图说明参考附图，通过详细描述其示例性实施方式，本专利技术的上述 和其它特征和优点将变得更加明显图1为三环己基辚(四五氟苯基)硼酸酯的X-射线晶体分子结构。具体实施方式描述本专利技术。本专利技术提供了一种制备由如下通式1表示的鳞化合物的方法， 该方法包括使由如下通式2表示的鳞化合物与由如下通式3表示 的盐化合物接触<通式1>c]其中，在a+b+c=3的条件下，a、 b和c各自为0 ~ 3的整数， Z为氧、好u、硅或氮，当Z为氧或石克时d为l，当Z为氮时d为2，以及当Z为硅 时d为3,Rj为氢、烷基或芳基，R2、 R2，和R3各自独立地为氢；未取^代或^皮烃、闺素或C,-20 卤代烷基取代的直链或支链Cu烷基、烷氧基、烯丙基、链烯基 或乙烯基；未取代或被烃、卣素或C,-20卣代烷基取代的Cw2环烷 基；未取代或被烃、卣素或Cu卣代烷基取代的Q-4o芳基；未取 代或被烃、囟素或卣代烷基取代的Cws芳烷基；未取代或被烃、面素或C,-20卣代烷基取代的C3-20炔基；三(直链或支链Cwo烷基)曱硅烷基；三(直链或支链Cwo烷氧基)曱硅烷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备由如下通式１表示的鏻化合物的方法，该方法包括使由如下通式２表示的鏻化合物与由如下通式３表示的盐化合物接触：　　　　〈通式１〉　　　　［（Ｒ↓［１］）－Ｐ（Ｒ↓［２］）↓［ａ］（Ｒ↓［２’］）↓［ｂ］［Ｚ（Ｒ↓［３］）↓［ｄ］］↓［ｃ］］［Ａｎｉ］　　　　其中，　　　　在ａ＋ｂ＋ｃ＝３的条件下，ａ、ｂ和ｃ各自为０～３的整数，　　　　Ｚ为氧、硫、硅或氮，　　　　当Ｚ为氧或硫时ｄ为１，当Ｚ为氮时ｄ为２，以及当Ｚ为硅时ｄ为３，　　　　Ｒ↓［１］为氢、烷基或芳基，　　　　Ｒ↓［２］、Ｒ↓［２’］和Ｒ↓［３］各自独立地为氢；直链或支链Ｃ↓［１－２０］烷基、烷氧基、烯丙基、链烯基或乙烯基；未取代或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代的Ｃ↓［３－１２］环烷基；未取代或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代的Ｃ↓［６－４０］芳基；未取代或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代的Ｃ↓［７－１５］芳烷基；未取代或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代的Ｃ↓［３－２０］炔基；三（直链或支链Ｃ↓［１－１０］烷基）甲硅烷基；三（直链或支链Ｃ↓［１－１０］烷氧基）甲硅烷基；三（Ｃ↓［３－１２］环烷基）甲硅烷基，其中Ｃ↓［３－１２］环烷基部分为未取代的或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代；三（Ｃ↓［６－４０］芳基）甲硅烷基，其中Ｃ↓［６－４０］芳基部分为未取代的或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代；三（Ｃ↓［６－４０］芳氧基）甲硅烷基，其中Ｃ↓［６－４０］芳氧基部分为未取代的或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代；三（直链或支链Ｃ↓［１－１０］烷基）甲硅烷氧基；三（Ｃ↓［３－１２］环烷基）甲硅烷氧基，其中Ｃ↓［３－１２］环烷基部分为未取代的或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代；或者三（Ｃ↓［６－４０］芳基）甲硅烷氧基，其中Ｃ↓［６－４０］芳基部分为未取代的或被烃、卤素或Ｃ↓［１－２０］卤代烷基取代，并且　　　　［Ａｎｉ］为硼酸根、铝酸根、［ＳｂＦ↓［６］］－、［ＰＦ↓［６］］－、［ＡｓＦ↓［６］］－、全氟乙酸根（［ＣＦ↓［３］ＣＯ↓［２］］－）、全氟丙酸根（［Ｃ↓［２］Ｆ↓［５］ＣＯ↓［２］］－）、全氟丁酸根（［ＣＦ↓［３］ＣＦ↓［２］ＣＦ↓［２］ＣＯ↓［２］］－）、高氯酸根（［ＣｌＯ↓［４］］－）、对甲苯磺酸根（［ｐ－ＣＨ↓［３］Ｃ↓［６］Ｈ↓［４］ＳＯ↓［３］］－）、［ＳＯ↓［３］ＣＦ↓［３］］－、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹性澈，元永喆，朴迎焕，全成浩，崔大胜，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]