薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板，具体包括一基板以及一薄膜晶体管。薄膜晶体管设置于基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，栅极设置于基板上，栅极介电层设置于栅极及基板上，该膜层设置于栅极介电层之上，且源极及漏极设置于该膜层上，并分别接触该膜层。其中，源极及漏极之间具有一间隔，且对应于间隔的该膜层具有一弧形凹部。以此，使得薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板具有较高元件可靠度，并可提高工艺良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板。
技术介绍
随着科技的进步，平面显示面板已经广泛地被运用在各种领域，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记型电脑、液晶电视及液晶荧幕等等。以液晶显示面板为例，已知一种液晶显示面板包含一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板及一液晶层，薄膜晶体管基板与彩色滤光基板相对而设，而液晶层夹置于薄膜晶体管基板与彩色滤光基板之间。其中，薄膜晶体管基板具有复数薄膜晶体管及复数像素电极设置于一基板上，并可通过控制该些薄膜晶体管而将像素数据输入该些像素电极，藉此可控制液晶层的液晶分子的转向而显示影像。由于市场的快速竞争，显示面板及显示装置的尺寸与显示色彩饱和度的需求也快速增加，同时也增加对薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求。其中，以金属氧化物(Metaloxide-based,MOSs)作为半导体层材料的薄膜晶体管可在室温中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：一基板；以及一薄膜晶体管，设置于所述基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一源极及一漏极，所述栅极设置于所述基板上，所述栅极介电层设置于所述栅极上，所述膜层设置于所述栅极介电层上，且所述源极及所述漏极设置于所述膜层上，并分别接触所述膜层，其中，所述源极及所述漏极之间具有一间隔，且对应于所述间隔的所述膜层具有一弧形凹部。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：
一基板；以及
一薄膜晶体管，设置于所述基板上，并包含一栅极、一栅极介电层、一膜层、一
源极及一漏极，所述栅极设置于所述基板上，所述栅极介电层设置于所述栅极上，所
述膜层设置于所述栅极介电层上，且所述源极及所述漏极设置于所述膜层上，并分别
接触所述膜层，
其中，所述源极及所述漏极之间具有一间隔，且对应于所述间隔的所述膜层具有
一弧形凹部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述膜层为所述薄膜
晶体管的一刻蚀阻挡层，且所述薄膜晶体管更包含一通道层，所述通道层的材料为金
属氧化物半导体，并设置于所述栅极介电层上，且所述刻蚀阻挡层设置于所述通道层
上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述漏极及所述源极
分别经由所述刻蚀阻挡层的一开口与所述通道层接触。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，对应于所述间隔的所
述刻蚀阻挡层的周缘区域具有一第一厚度，对应于所述间隔的所述刻蚀阻挡层的中间
区域具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，邻近所述弧形凹部的
所述源极或所述漏极与所述刻蚀阻挡层具有一接触区域，位于所述接触区域的所述刻
蚀阻挡层于接近所述弧形凹部处更具有一第三厚度，且所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣芳，沈义和，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71