液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提出了一种液晶显示装置及其制造方法。根据本发明专利技术一实施方式，提供了一种液晶显示装置，所述显示装置包括：依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥接触部用于一次暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分。所述第三金属层实现为通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求2014年11月27日提交的韩国专利申请No.10-2014-0167353的优先权，在此援引该申请的全部内容作为参考。
本专利技术涉及一种液晶显示装置及其制造方法，尤其涉及一种通过减少使用氧化物半导体的静电放电保护电路中的接触孔数量而将边框区域最小化的液晶显示装置及其制造方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置是指包括设置有液晶层的LCD面板的显示装置。通过针对来自诸如背光单元之类的光源的光调节LCD面板的透射率来驱动LCD装置。对于具有较高分辨率和低功耗、以及具有较小厚度的最小化边框的LCD装置的需求近来增大。根据用于薄膜晶体管的有源层的材料，LCD装置中的薄膜晶体管分为使用非晶硅的薄膜晶体管、使用多晶硅或低温多晶硅(LTPS)的薄膜晶体管、以及使用氧化物半导体的薄膜晶体管。与使用非晶硅的薄膜晶体管相比，使用氧化物半导体的薄膜晶体管具有高电子迁移率和相当低的漏电流。与使用非晶硅的薄膜晶体管相比，使用氧化物半导体的薄膜晶体管可靠性也较高。因而，已对使用氧化物半导体的液晶显示装置进行了积极研究。氧化物半导体的特性，特别是高电子迁移率可能导致边框区域的增大。具体地说，在液晶显示(LCD)装置的边框区域中设置有静电放电(ESD)保护电路。如果氧化物半导体用于组成ESD保护电路的薄膜晶体管，则当从外部引入静电时，由于氧化物半导体的高电子迁移率，使得ESD保护电路中流动的电流增大，因而功耗增大。为了抑制使用氧化物半导体的ESD保护电路的功耗增大，期望的是将薄膜晶体管设计为具有比使用不同半导体材料的薄膜晶体管的沟道长的沟道。当与使用不同半导体材料的薄膜晶体管的情形相比时，使用氧化物半导体材料的薄膜晶体管增大了ESD保护电路区域的尺寸。因而，LCD装置中的边框区域的尺寸增大。已对如何降低LCD装置的制造成本进行了大量研究。为了降低LCD装置的制造成本，试图减少LCD装置的掩模。LCD装置包括多个层，所述多个层包括导电层和绝缘层。导电层通过形成在绝缘层中的接触孔彼此电连接。如果减少在制造LCD装置时使用的掩模数量，则可能不会在期望位置处形成接触孔。为了弥补这种减少带来的影响，可增加接触孔的数量，且导电层可通过连接接触孔的桥结构彼此连接。例如，导电层“A”和导电层“B”能够彼此连接。如果由于掩模减少而不能形成用于导电层“A”与导电层“B”之间的直接接触的接触孔，则可使用桥结构。此桥结构配置成利用导电层“C”将暴露导电层“A”的接触孔和暴露导电层“B”的接触孔连接。然而，如果使用这种桥结构，则接触孔的数量增加且需要确保多个接触孔之间的区域。因此，LCD装置中的边框区域进一步增大。因为上述ESD保护电路是通过使用其中源极电极或漏极电极与栅极电极连接的多个薄膜晶体管实现的，所以需要用于将栅极电极与源极电极或漏极电极电连接的接触孔。然而，如果减少在制造LCD装置时使用的掩模数量，则不能形成用于栅极电极与源极电极或漏极电极之间的直接接触的接触孔。因此，需要占据更大面积的桥结构。如果通过采用使用氧化物半导体的薄膜晶体管实现ESD保护电路，则由于沟道，边框不可避免地增大。因为由于所使用的掩模数量的减少而采用桥结构，所以边框区域的尺寸进一步增大。因此，如果采用使用氧化物半导体的薄膜晶体管且为了降低制造成本而减少掩模数量，则很难实现具有窄边框区域的LCD装置。
技术实现思路
本专利技术涉及一种LCD装置，具有当通过采用氧化物半导体且使用数量减少的掩模来制造LCD装置时边框区域的尺寸不增大的结构。因此，本专利技术提供一种LCD装置及其制造方法，即使当使用数量减少的掩模时，通过减少用于彼此连接导电层的接触孔数量而具有最小化尺寸的边框区域。此外，本专利技术提供一种LCD装置及其制造方法，通过最小化尺寸的电源电压线单元而具有最小化尺寸的ESD保护电路。本专利技术不限于前述目的，未明确提到的其他目的通过下面的描述对于所属领域普通技术人员来说将是显而易见的。根据本专利技术的一个方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括：依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分，且其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触。在一个实施方式中，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第一绝缘层的第一接触孔和所述第二绝缘层的第二接触孔的其中之一电连接，且其中所述单孔桥接触部可以是这样的结构：其中最小化了用于形成所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的接触孔的掩模数量的增加并且最小化了由所述第一接触孔和所述第二接触孔导致的设计区域的增大。在一个实施方式中，所述单孔桥接触部应用于静电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括位于所述显示装置的边框区域中的含有氧化物半导体的薄膜晶体管。在一个实施方式中，通过应用所述单孔桥接触部的结构，所述静电放电保护电路的尺寸能够实现为不大于具有等效静电放电性能且包括含有非晶硅的薄膜晶体管的静电放电保护电路的尺寸。根据本专利技术的另一个方面，提供一种液晶显示装置，包括：基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域；位于所述基板上的边框区域中的第一金属层；位于所述第一金属层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧的第一开口；与所述第一金属层交叠的第二金属层；位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于暴露所述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口；和导电层，所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触。因为所述第一金属层和所述第二金属层在所述第二绝缘层的第二开口内电连接，在由最少化数量的掩模制造的液晶显示装置中，能够减少平坦化层中的孔的数量并能够减小电路区域的尺寸。因此，能够提供一种具有较窄边框区域的液晶显示装置。在一个实施方式中，所述液晶显示装置还包括：位于所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，其中：所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上，所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上，所述第一绝缘层是位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一部分，且其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第二金属层接触。

【技术特征摘要】
2014.11.27 KR 10-2014-01673531.一种显示装置，包括：
依次设置于基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘
层和第三金属层，
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括单孔桥接触部，所述单孔桥
接触部用于在一个孔中暴露所述第一金属层的一部分和所述第二金属层的一
部分，且
其中所述第三金属层通过所述单孔桥接触部与所述第一金属层和所述第
二金属层接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第一金属层和所述第二金属层通过所述第一绝缘层的第一接触
孔和所述第二绝缘层的第二接触孔的其中之一电连接，且
其中所述单孔桥接触部是这样的结构：其中减少了用于形成所述第一绝
缘层或所述第二绝缘层的接触孔的掩模数量的增加并且减小了由所述第一接
触孔和所述第二接触孔导致的设计区域的增大。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述单孔桥接触部应用于静
电放电保护电路，所述静电放电保护电路包括位于所述显示装置的边框区域
中的含有氧化物半导体的薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中通过应用所述单孔桥接触部
的结构，所述静电放电保护电路的尺寸实现为不大于具有等效静电放电性能
且包括含有非晶硅的薄膜晶体管的静电放电保护电路的尺寸。
5.一种液晶显示装置，包括：
基板，所述基板包括有源区域和围绕所述有源区域的边框区域；
位于所述基板上的边框区域中的第一金属层；
位于所述第一金属层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括用于暴露所
述第一金属层的部分顶侧的第一开口；
与所述第一金属层交叠的第二金属层；
位于所述第二金属层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于暴露所
述第一金属层的部分顶侧以及所述第二金属层的部分顶侧的第二开口；和
导电层，所述导电层在所述第二绝缘层中的第二开口内与所述第一金属
层的所暴露的部分顶侧以及所述第二金属层的所暴露的部分顶侧接触。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括含有氧化物半导体
的有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极，
其中：
所述第一金属层位于与所述栅极电极相同的水平面上，
所述第二金属层位于与所述源极电极和所述漏极电极相同的水平面上，
所述第一绝缘层是位于所述栅极电极上的栅极绝缘层，且
所述第二绝缘层是配置成使所述薄膜晶体管的上部变平坦的平坦化层。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，还包括：
位于所述边框区域中的静电放电保护电路，
其中所述静电放电保护电路包括所述薄膜晶体管。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中：
所述第一金属层从所述栅极电极延伸，且
所述第二金属层从所述源极电极和所述漏极电极的其中之一延伸。
9.根据权利要求7所述的液晶显示装置，还包括：
第一线，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成手，金荣柱，申美姬，金珉镜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR