薄膜晶体管、阵列基板极其制造方法和显示面板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽。本发明专利技术还提供一种阵列基板、一种显示面板、一种阵列基板的制造方法。制造所述薄膜晶体管时，图形精确，产品良率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。
技术介绍
现有技术中，通常使用光刻构图工艺来制造显示装置中的阵列基板。具体地，在形成导电图形层时，首先会沉积形成导电材料层；然后在导电材料层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层进行曝光显影；进行刻蚀工艺，以获得所述导电图形层；剥离光刻胶层。但是，光刻胶可能在刻蚀的过程中剥落，从而导致最终刻蚀获得的图形不够精确。因此，如何防止光刻胶在刻蚀过程中剥落成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括所述薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基板的显示面板。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽。优选地，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极包括主电极层和设置在所述主电极层上面的保护电极层，所述多个第一凹槽形成在所述保护电极层的上表面上。优选地，所述保护电极层包括设置在所述主电极层表面的第一保护电极层和设置在所述第一保护电极层表面的第二保护电极层，所述第二保护电极层的表面设置有所述第一凹槽，所述第二保护电极层的成分与所述第一保护电极层的成分相同，所述第二保护电极层的密度小于所述第一保护电极层的密度。优选地，所述主电极层的材料包括铜，所述第一保护电极层和所述第二保护电极层的材料包括钼铌合金。优选地，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极还包括设置在所述主电极层下方的第三保护电极层，所述第三保护电极层的材料与所述第一保护电极层的材料相同。优选地，所述源电极和所述漏电极的上表面均形成有所述第一凹槽。优选地，所述薄膜晶体管包括设置在所述源电极和所述漏电极下方的有源层，所述有源层为氧化物半导体。作为本专利技术的第二个专利技术，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为本专利技术所提供的上述薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线的上表面形成有多个第二凹槽。作为本专利技术的第三个方面，提供一种显示面板，所述显示装置包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本专利技术所提供的上述阵列基板。作为本专利技术的第四个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，其中，所述制造方法包括形成第一图形的步骤和形成第二图形的步骤，所述第一图形包括所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，所述第二图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，形成所述第一图形和所述第二图形中的至少一者包括：形成导电材料层；在所述导电材料层的上表面上形成多个凹槽；在形成有凹槽的导电材料层上涂敷光刻胶层；对光刻胶进行曝光显影，以在所述导电材料层的上表面上形成遮挡图形；对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀。优选地，形成导电材料层的步骤包括：形成主导电材料层；在所述主导电材料层上形成保护导电材料层；在所述导电材料层的上表面形成多个凹槽的步骤包括在所述保护导电材料层的上表面上形成多个凹槽。优选地，所述保护导电材料层包括第一保护导电材料层和第二保护导电材料层，形成保护导电材料层的步骤包括：在所述主导电材料层的表面上形成第一保护导电材料层；在所述第一保护导电材料层的表面上形成第二保护导电材料层，所述第一保护导电材料层的成分与所述第二保护导电材料层的成分相同，且所述第二保护导电材料层的密度小于所述第一保护导电材料层的密度；在所述导电材料层的上表面形成多个凹槽的步骤包括在所述第二保护导电材料层的上表面上形成多个凹槽。优选地，利用相同的靶材形成所述第一保护导电层和所述第二保护导电层，且形成所述第一保护导电材料层时的溅射功率为小于形成第二保护导电材料层时的功率，且形成第一保护导电材料层时的腔室压力大于形成第二保护导电材料层时的腔室压力。优选地，所述主导电材料层的材料包括铜，所述第一保护导电材料层和所述第二保护导电材料层的材料包括钼铌合金；在形成所述第一保护导电材料层时，溅射功率在4kW至5kW之间，腔室内压力在0.2Pa至0.3Pa之间；在形成所述第二保护导电材料层时，溅射功率在6kW至7kW之间，腔室内压力在0.1Pa至0.2Pa之间；在所述保护导电材料层的表面形成多个凹槽的步骤包括：向腔室中通入工艺气体，其中工艺气体包括氟化氢气体，氟化氢气体在工艺气体中的体积含量在1％至10％之间，通入所述工艺气体持续的时间为3s至5s。优选地，上表面形成有多个凹槽的导电图形层为源漏极图形，所述制造方法还包括在形成所述源漏图形之前进行的：形成有源材料层，所述有源材料层由氧化物半导体材料制成；对光刻胶进行曝光显影的步骤中利用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影获得所述遮挡图形，所述遮挡图形有源遮挡图形，所述有源遮挡图形覆盖的区域与有源图形一致，且所述有源遮挡图形包括源电极区、漏电极区和位于所述源电极区和所述漏电极区之间的间隔区，所述间隔区的厚度小于所述源电极区和所述漏电极区的厚度；对形成有所述遮挡图形的导电材料层进行刻蚀的步骤包括：对所述导电材料层和所述有源材料层进行湿刻，以获得中间图形，所述中间图形包括有源层和覆盖在所述有源层上的中间导电图形；对所述遮挡图形进行灰化，以刻蚀所述间隔区，并进一步刻蚀所述中间导电图形，使得中间导电图形在对应于所述间隔区的位置断开，以获得源电极和漏电极。优选地，形成所述导电图形的步骤还包括在形成主导电图形层的步骤之前进行的：形成第三保护导电材料层。在制造所述薄膜晶体管时，在对导电材料层进行刻蚀时，由于光刻胶的一部分填充在所述第一凹槽内，因此，光刻胶不容易从导电图形层的上表面剥离，从而可以得到将为精确的电极图形。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术所提供的薄膜晶体管的第一种实施方式的示意图；图2是本专利技术所提供的薄膜晶体管的第二种实施方式的示意图；图3a是本专利技术所提供的阵列基板的制造方法中，形成导电材料层的步骤中，形成有主导电材料层和第一保护材料层的步骤；图3b是本专利技术所提供的阵列基板的制造方法中，形成导电材料层的步骤结束后获得的导电材料层；图3c是导电材料层的上表面上形成有多个凹槽的示意图；图3d是导电材料层上设置有光刻胶层的示意图；图3e是对光刻胶层进行曝光显影获得遮挡图形的示意图。附图标记说明110：源电极111、121：主电极层112、122：第一保护电极层113、123：第二保护电极层114、124：第三保护电极层120：漏电极200：有源层310：主导电材料层321：第一保护导电材料层322：第二保护导电材料层330：第三保护导电材料层340：光刻胶层341：遮挡图形101：第一凹槽具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极中的至少一个电极的上表面上形成有多个第一凹槽。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极包括主电极层和设置在所述主电极层上面的保护电极层，所述多个第一凹槽形成在所述保护电极层的上表面上。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护电极层包括设置在所述主电极层表面的第一保护电极层和设置在所述第一保护电极层表面的第二保护电极层，所述第二保护电极层的表面设置有所述第一凹槽，所述第二保护电极层的成分与所述第一保护电极层的成分相同，所述第二保护电极层的密度小于所述第一保护电极层的密度。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主电极层的材料包括铜，所述第一保护电极层和所述第二保护电极层的材料包括钼铌合金。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，上表面形成有所述多个第一凹槽的电极还包括设置在所述主电极层下方的第三保护电极层，所述第三保护电极层的材料与所述第一保护电极层的材料相同。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的上表面均形成有所述第一凹槽。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括设置在所述源电极和所述漏电极下方的有源层，所述有源层为氧化物半导体。8.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1至7中任意一项所述的薄膜晶体管，所述阵列基板还包括多组电极线，多组电极线包括与所述栅电极同层设置的栅线和与所述源电极和所述漏电极同层设置的数据线，至少一组所述电极线的上表面形成有多个第二凹槽。9.一种显示面板，所述显示装置包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求8所述的阵列基板。10.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线相交错将所述阵列基板划分为多个像素单元，每个像素单元内均设置有薄膜晶体管，其特征在于，所述制造方法包括形成第一图形的步骤和形成第二图形的步骤，所述第一图形包括所述栅线和所述薄膜晶体管的栅电极，所述第二图形包括所述数据线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，形成所述第一图形和所述第二图形中的至少一者包括：形成导电材料层；在所述导电材料层的上表面上形成多个凹槽；在形成有凹槽的导电材料层上涂敷光刻胶层；对光刻胶进行曝光显影，以在所述导电材料层的上表面上形成遮挡图形；对形成有遮挡图形的导电材料层进行刻蚀。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成导电材料层的步骤包括：形成主导电材料层；在所述主导电材料层上形成保护导电材料层；在所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11