薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法，通过在扫描线与栅极上对应于扫描线与数据线交叉处的第一重叠区域、栅极与源极之间的第二重叠区域、以及栅极与漏极之间的第三重叠区域中的至少一处设置凹槽，使得该至少一处重叠区域的寄生电容的极板间距增大，从而降低寄生电容，增加器件稳定性，避免显示时出现图像粘滞、及颜色偏移等异常现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。现有的薄膜晶体管通常包括栅极、扫描线、数据线、源极、及漏极，所述栅极、及扫描线与数据线、源极、及漏极之间通常存在重叠部分，这些重叠部分容易形成寄生电容，由于寄生电容的两端分别连接到数据线与扫描线的外部电压源上，使得寄生电容会成为数据线和扫描线的驱动负载，从而导致某些视觉假像的发生，例如图像粘滞、颜色偏移和其它颜色错误。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法，可降低扫描线、及栅极与数据线、源极、及漏极的重叠区域处的寄生电容，增加器件稳定性。本专利技术的目的还在于提供一种薄膜晶体管，扫描线、及栅极与数据线、源极、及漏极的重叠区域处的寄生电容小，器件稳定性好。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的扫描线、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述扫描线、栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且对应于栅极的有源层、设于所述有源层及栅极绝缘层上的数据线、以及设于所述有源层及栅极绝缘层上的源极与漏极；所述栅极连接至所述扫描线一侧；所述源极连接至所述数据线一侧，所述漏极与所述源极间隔设置；所述源极、及漏极分别与所述有源层的两侧相接触；所述扫描线与数据线相交叉，交叉处形成第一重叠区域；所述栅极与位于所述有源层一侧的源极之间形成第二重叠区域，同时所述栅极与位于所述有源层另一侧的漏极之间形成第三重叠区域；所述扫描线与栅极上对应于第一、第二、及第三重叠区域中的至少一处设有凹槽。所述栅极上对应于所述栅极与漏极之间的第三重叠区域设有一凹槽。所述栅极上对应于所述栅极与源极之间的第二重叠区域、以及所述栅极与漏极之间的第三重叠区域分别设有一个凹槽。所述扫描线上对应于所述扫描线与数据线的交叉处的第一重叠区域设有一凹槽。所述薄膜晶体管还包括设于所述有源层、源极、漏极、及栅极绝缘层上的层间介电层、以及设于所述层间介电层上的像素电极；所述层间介电层上设有对应于所述漏极上方的过孔，所述像素电极经由过孔与所述漏极相接触。本专利技术还提供一种上述薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成扫描线、及连接至所述扫描线一侧的栅极；所述扫描线与栅极上对应于所述扫描线、及栅极与后续形成的数据线、源极、及漏极之间的第一、第二、及第三重叠区域中的至少一处设有凹槽；所述扫描线、及栅极与后续形成的数据线、源极、及漏极之间的第一、第二、及第三重叠区域包括所述扫描线与后续形成的数据线交叉处的第一重叠区域、所述栅极与后续形成的源极之间的第二重叠区域、以及所述栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域；步骤2、在扫描线、栅极、及衬底基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层；在所述有源层、及栅极绝缘层上形成数据线、源极、及漏极；所述源极连接至所述数据线一侧，所述漏极与所述源极间隔设置；所述源极、及漏极分别与所述有源层的两侧相接触。所述步骤1具体包括：步骤11、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成一导电层；步骤12、在所述导电层上形成光阻层，采用一半色调光罩对所述光阻层进行图形化处理，保留的光阻层用来定义扫描线与栅极的图形，并且所述保留的光阻层上设有至少一个凹槽；所述至少一个凹槽对应于扫描线与后续形成的数据线交叉处的第一重叠区域、栅极与后续形成的源极之间的第二重叠区域、以及栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域中的至少一处；对所述导电层上未被保留的光阻层遮挡的区域进行蚀刻，形成扫描线与栅极；步骤13、对保留的光阻层进行灰化处理，所述保留的光阻层上设有至少一个凹槽的位置变为至少一个通孔，其余位置的厚度降低；步骤14、以灰化后的光阻层为遮挡层，对所述扫描线与栅极中的至少一个进行蚀刻，在所述扫描线与栅极中的至少一个上形成至少一个凹槽；剥离剩余的光阻层。在一个具体实施例中，所述步骤1中，所述栅极上对应于所述栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域设有一凹槽；所述步骤1具体包括：步骤11、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成一导电层；步骤12、在所述导电层上形成光阻层，采用一半色调光罩对所述光阻层进行图形化处理，保留的光阻层用来定义扫描线与栅极的图形，并且所述保留的光阻层上设有一凹槽；所述凹槽对应于栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域；对所述导电层上未被保留的光阻层遮挡的区域进行蚀刻，形成扫描线与栅极；步骤13、对保留的光阻层进行灰化处理，所述保留的光阻层上设有一凹槽的位置变为一通孔，其余位置的厚度降低；步骤14、以灰化后的光阻层为遮挡层，对栅极进行蚀刻，在所述栅极上形成一凹槽；剥离剩余的光阻层。在另一个具体实施例中，所述步骤1中，所述栅极上对应于所述栅极与后续形成的源极之间的第二重叠区域、以及所述栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域分别设有一个凹槽；所述步骤1具体包括：步骤11、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成一导电层；步骤12、在所述导电层上形成光阻层，采用一半色调光罩对所述光阻层进行图形化处理，保留的光阻层用来定义扫描线与栅极的图形，并且所述保留的光阻层上设有两个凹槽；所述两个凹槽分别对应于栅极与后续形成的源极之间的第二重叠区域、以及栅极与后续形成的漏极之间的第三重叠区域；对所述导电层上未被保留的光阻层遮挡的区域进行蚀刻，形成扫描线与栅极；步骤13、对保留的光阻层进行灰化处理，所述保留的光阻层上设有两个凹槽的位置变为两个通孔，其余位置的厚度降低；步骤14、以灰化后的光阻层为遮挡层，对栅极进行蚀刻，在所述栅极上形成两个凹槽；剥离剩余的光阻层。所述薄膜晶体管的制作方法还包括步骤3、在所述有源层、源极、漏极、及栅极绝缘层上形成层间介电层，对所述层间介电层进行图形化处理，在所述层间介电层上形成对应于所述漏极上方的过孔；在所述层间介电层上形成像素电极，所述像素电极经由过孔与所述漏极相接触。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种薄膜晶体管及其制作方法，通过在扫描线与栅极上对应于扫描本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的扫描线(11)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(12)、设于所述扫描线(11)、栅极(12)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上且对应于栅极(12)的有源层(30)、设于所述有源层(30)及栅极绝缘层(20)上的数据线(41)、以及设于所述有源层(30)及栅极绝缘层(20)上的源极(42)与漏极(43)；所述栅极(12)连接至所述扫描线(11)一侧；所述源极(42)连接至所述数据线(41)一侧，所述漏极(43)与所述源极(42)间隔设置；所述源极(42)、及漏极(43)分别与所述有源层(30)的两侧相接触；所述扫描线(11)与数据线(41)相交叉，交叉处形成第一重叠区域(100)；所述栅极(12)与位于所述有源层(30)一侧的源极(42)之间形成第二重叠区域(200)，同时所述栅极(12)与位于所述有源层(30)另一侧的漏极(43)之间形成第三重叠区域(300)；所述扫描线(11)与栅极(12)上对应于第一、第二、及第三重叠区域(100、200、300)中的至少一处设有凹槽(50)。...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的扫描线(11)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(12)、设于所述扫描线(11)、栅极(12)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上且对应于栅极(12)的有源层(30)、设于所述有源层(30)及栅极绝缘层(20)上的数据线(41)、以及设于所述有源层(30)及栅极绝缘层(20)上的源极(42)与漏极(43)；所述栅极(12)连接至所述扫描线(11)一侧；所述源极(42)连接至所述数据线(41)一侧，所述漏极(43)与所述源极(42)间隔设置；所述源极(42)、及漏极(43)分别与所述有源层(30)的两侧相接触；所述扫描线(11)与数据线(41)相交叉，交叉处形成第一重叠区域(100)；所述栅极(12)与位于所述有源层(30)一侧的源极(42)之间形成第二重叠区域(200)，同时所述栅极(12)与位于所述有源层(30)另一侧的漏极(43)之间形成第三重叠区域(300)；所述扫描线(11)与栅极(12)上对应于第一、第二、及第三重叠区域(100、200、300)中的至少一处设有凹槽(50)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极(12)上对应于所述栅极(12)与漏极(43)之间的第三重叠区域(300)设有一凹槽(50)。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极(12)上对应于所述栅极(12)与源极(42)之间的第二重叠区域(200)、以及所述栅极(12)与漏极(43)之间的第三重叠区域(300)分别设有一个凹槽(50)。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述扫描线(11)上对应于所述扫描线(11)与数据线(41)的交叉处的第一重叠区域(100)设有一凹槽(50)。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设于所述有源层(30)、源极(42)、漏极(43)、及栅极绝缘层(20)上的层间介电层(60)、以及设于所述层间介电层(60)上的像素电极(70)；所述层间介电层(60)上设有对应于所述漏极(43)上方的过孔(61)，所述像素电极(70)经由过孔(61)与所述漏极(43)相接触。6.一种如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成扫描线(11)、及连接至所述扫描线(11)一侧的栅极(12)；所述扫描线(11)与栅极(12)上对应于所述扫描线(11)、及栅极(12)与后续形成的数据线(41)、源极(42)、及漏极(43)之间的第一、第二、及第三重叠区域(100、200、300)中的至少一处设有凹槽(50)；所述扫描线(11)、及栅极(12)与后续形成的数据线(41)、源极(42)、及漏极(43)之间的第一、第二、及第三重叠区域(100、200、300)包括所述扫描线(11)与后续形成的数据线(41)交叉处的第一重叠区域(100)、所述栅极(12)与后续形成的源极(42)之间的第二重叠区域(200)、以及所述栅极(12)与后续形成的漏极(43)之间的第三重叠区域(300)；步骤2、在扫描线(11)、栅极(12)、及衬底基板(10)上形成栅极绝缘层(20)；在所述栅极绝缘层(20)上形成有源层(30)；在所述有源层(30)、及栅极绝缘层(20)上形成数据线(41)、源极(42)、及漏极(43)；所述源极(42)连接至所述数据线(41)一侧，所述漏极(43)与所述源极(42)间隔设置；所述源极(42)、及漏极(43)分别与所述有源层(30)的两侧相接触。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：步骤11、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成一导电层(80)；步骤12、在所述导电层(80)上形成光阻层(90)，采用一半色调光罩对所述光阻层(90)进行图形化...

【专利技术属性】
技术研发人员：林钦遵，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44