一种低Smile的半导体激光器封装结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术为半导体激光器封装领域，具体为一种低Smile的半导体激光器的封装结构。
技术介绍
在半导体激光器巴条或叠阵封装中，由于热沉与激光芯片热膨胀系数不匹配而产生的热应力，导致激光器阵列在垂直快轴方向发生形变。而激光器阵列在垂直方向发光尺寸只有约1μm，所以较小的位移对发光产生较大影响，使列阵中各个发光单元并不在同一条直线上，引起发光弯曲（被称为smile效应，也称为近场非线性效应），若热应力过大甚至会造成芯片与金属热沉之间的焊接层开裂，半导体激光器芯片断裂等问题，严重影响半导体激光器的可靠性和寿命。例如芯片的热膨胀系数为6.7ppm/K，热沉选用金属铜，金属铜的热膨胀系数17.8ppm/K，同样长度芯片和铜，每变化1℃，铜的长度变化将是芯片的2.7倍。目前对于降低半导体激光器smile效应的方法为在激光芯片和铜热沉之间增加热膨胀系数与激光芯片接近的应力缓释层，降低了半导体激光器的smile效应，但随着半导体激光器不断拓展的应用范围以及对光束质量要求的提高，对smile效应的抑制有了更高的要求，使得现有技术难以满足新的应用需求。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本专利技术提出一种低Smile的半导体激光器封装结构。本专利技术的技术方案如下：一种低Smile的半导体激光器封装结构，所述热沉相互对应的两个面上分别设置有热膨胀系数与激光芯片匹配的应力缓释层，激光芯片键合于前述的应力缓释层其中之一上。所述热沉相互对应的两个面的应力缓释层为对称结构，应力缓释层覆于部分热沉表面，或者覆盖热沉全部的表面。所述应力缓释层的热膨胀系数取值范围为5~10ppm/K。所...
【技术保护点】
一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：包括热沉和激光芯片；所述热沉相互对应的两个面上分别设置有热膨胀系数与激光芯片匹配的应力缓释层，激光芯片键合于前述的应力缓释层其中之一上。
【技术特征摘要】
1.一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：包括热沉和激光芯片；所述热沉相互对应的两个面上分别设置有热膨胀系数与激光芯片匹配的应力缓释层，激光芯片键合于前述的应力缓释层其中之一上。2.根据权利要求1所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述应力缓释层的热膨胀系数取值范围为5~10ppm/K。3.根据权利要求2所述的一种低Smile的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述的应力缓释层为铜钨、或者石墨铜、...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卫锋，陶春华，梁雪杰，刘兴胜，
申请(专利权)人：西安炬光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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