半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有能够借助激光进行切断的熔断元件且具有耐腐蚀性。以从半导体衬底的背面照射的激光在熔断元件上聚光而能够进行发热、膨胀、破裂的方式，在熔断元件的上部隔着金属的格子和留在其间的层间膜配置有氮化硅膜。为了防止水分的侵入，在半导体装置的正面配置有相同厚度的氮化硅膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及能够通过切断来变更电路结构的具有熔断(fuse)元件的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造中，在也被称为前期工序的晶片制造工序结束后，具有通过使用例如激光来切断使用了例如多晶硅或金属的熔断元件而进行电路结构的变更的工序，其占据了后期工序的一部分。在本工序中，在测定了半导体装置的电气特性后，能够通过校正电阻的值得到所期望的特性，成为在重视模拟特性的半导体装置中特别有效的制造工序。在该工序中，要求能够在激光中稳定地切断熔断元件并且要求熔断元件的耐腐蚀性较高。以往，在半导体装置的上部形成绝缘性的保护膜，出于防止水分从外部侵入等目的而使用例如氮化硅膜。但是，关于熔断元件，由于设定是之后利用激光照射对熔断元件进行切断，因此，不能配置足够厚的氮化硅膜。这是因为：氮化硅膜机械性能上也很坚固，借助激光照射不容易与熔断元件同时被破坏。因此，一般情况下对熔断元件上方的保护膜进行去除，因此，成为保护膜在熔断元件上开口的状态。而且，保护膜之下的绝缘膜也以成为适合熔断元件的切断的所期望的厚度的方式被去除，因此，在熔断元件之上仅留有以用于分离布线层的氧化膜为主的绝缘膜。熔断元件成为容易受到水分侵入的影响的状态，需要提高耐腐蚀性。在专利文献1中，公开有如下提高耐腐蚀性的方法：在熔断元件上至少侧面或者侧面和上部形成氮化硅膜或氮氧化硅膜等耐湿性绝缘膜，其中，耐湿性绝缘膜在上部比侧面薄。但是，在上述的现有技术中，举出了以下的课题。针对水分基本上从熔断元件上的被去除了保护膜的部分侵入这一情况，有如下方法：不在熔断元件上部配置耐湿性绝缘膜或者在熔断元件上较薄地形成耐湿性绝缘膜。因此，上部的保护变得不充分。
而且，由于使用氮化硅膜或氮氧化硅膜作为耐湿性绝缘膜，因此，吸收照射的激光以切断熔断元件的条件变得严苛。在该方法中，耐湿性提高和借助激光切断熔断元件的稳定性处于权衡的关系，很难得到满足两者的条件。因此，本技术着眼于未切断的熔断元件是由于进行了基于激光的切断的熔断元件效果小。在被切断的熔断元件中，熔断元件在断面处露出，从而发生腐蚀。熔断元件的腐蚀从切断面产生，由于熔断元件膨胀导致裂纹进入熔断元件上的绝缘膜。而且，出现如下问题：裂纹成为水分的侵入路径，腐蚀向半导体装置的内部深入。专利文献1：日本特开2011-49252号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述课题而完成的，提供如下具有熔断元件的半导体装置：通过在熔断元件的上部具有适合切断的厚度的绝缘膜而能够进行均匀的切断，通过在最上部具有相同厚度的氮化硅膜而能够抑制腐蚀从切断熔断元件的部分开始深入。为了解决课题，本专利技术的半导体装置中，半导体装置的正面被相同厚度的氮化硅膜覆盖，在氮化硅膜和熔断元件之间具有由金属的格子构成的网，成为容易进行熔断元件的破坏的结构。并且，能够从半导体装置的背面照射激光，将激光聚光于熔断元件处来切断熔断元件，该熔断元件形成于半导体衬底的正面上设置的氧化膜上。专利技术效果根据本专利技术，在借助激光切断熔断元件后，熔断元件不从切断面露出，因此，熔断元件被腐蚀的可能性极小。能够提供如下具有熔断元件的半导体装置：抑制新的水分侵入的路径的产生，不容易产生由于水分侵入半导体装置内部而导致的腐蚀发生。附图说明图1是示出本专利技术的半导体装置的第一实施方式的图，其中，(a)是俯视图，(b)是沿(a)的切断面A-A的剖视图。图2是示出本专利技术的半导体装置的第二实施方式的剖视图。图3是示出本专利技术的半导体装置的第三实施方式的俯视图。图4是示出本专利技术的半导体装置的第四实施方式的俯视图。标号说明1：半导体衬底；2：场氧化膜；3：熔断元件；3A、3B：熔断元件的端子；4：中间绝缘膜；5：格子；5a：格子的上部表面；6：氮化硅膜；7、7a：层间绝缘膜；8：多孔质的绝缘膜；9：开口区域；10：格子的窗；10A：排列体的遮光部；11：激光；15：排列体。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的各种实施方式进行说明。【实施例1】图1是示出本专利技术的半导体装置的第一实施方式的图。图1的(a)是俯视图，图1的(b)沿图1的(a)的切断面A-A的剖视图。如图1的(a)所示，多个熔断元件3在场氧化膜2之上并列地配置，熔断元件3的两端为端子3A、3B。各个熔断元件从该端子处与电路连接。电路对电流是否在端子3A和3B之间流通进行判断。将与熔断元件3中流动的电流的方向垂直的方向上的熔断元件的尺寸称为熔断元件的宽度。在图1的(a)中，与连结端子3A、3B的方向垂直的方向为熔断元件的宽度。在本实施例中，以多晶硅为例说明熔断元件。当然，在使用金属作为熔断元件的材料的情况下也能够几乎同样地实施本专利技术。为了使包含熔断元件3的中心的区域形成为适合激光的切断的膜厚，而配置有开口区域9。开口区域是设置于层间膜的凹部，是层间膜被去除而变薄的区域。熔断元件3的除两端的端子以外的部分配置在开口区域9的底部之下。在开口区域9，用于保护半导体装置的正面的相同厚度的氮化硅膜6遍及整面地形成于层间膜的正面。在熔断元件3的周围不存在氮化硅膜6开口的区域。像之后说明那样，由于用于切断熔断元件3的激光从半导体装置的背面照射，因此，能够将氮化硅膜6形成在开口区域整面上。在覆盖开口区域9的氮化硅膜6之下配置有由金属构成的格子5。格子5例如能够使用构成最下层的布线的金属来形成。当然，也可以使用构成其他层的布线的金属。在本实施例中，格子是正方格子，具有一边的长度为L的正方形的窗10。这里，使窗的一边的长度L比用于切断熔断元件3的激光的波长短。这是为了阻隔(閉じ込める)从半导体衬底1的背面朝向熔断元件3照射的激光，防止激光进入其他区域。不覆盖整面地设置格子是为了留出供熔断元件的被激光切断的部分剧烈地膨胀的空间
(余地)。而且，格子5作为塑性的网，通过塑形变形来承受切断部位的膨胀、破裂。而且，如图1的(b)所示，形成有多个熔断元件3的场氧化膜2设置在半导体衬底1的正面。熔断元件3被中间绝缘膜4覆盖了侧面和上表面。从本图可知，开口区域9是设置于层间膜7的凹部，具有通过局部去除层间膜7而设置出的侧面9a、和层间膜7被去除而变薄的区域即底部9b。开口区域9成为将配置于半导体装置的正面的、例如硅氧化膜那样的用于绝缘分离金属布线的层间膜7大部分去除后的区域。而且，氮化硅膜6遍及整面地形成于开口区域9的正面。氮化硅膜6无论是在厚的层间膜7上还是在开口区域9的侧面和底部都具有相同的厚度。格子5不仅阻隔激光，还是通过蚀刻去除层间膜7而留下所期望的量时的监视器(monitor)。在通过蚀刻来形成开口区域9时，如果监视形成格子5的金属，则能够留下格子5和填埋其间的层间膜7a。这样一来，能够将形成于熔断元件3之上层间膜的厚度控制得均一化，能够均一地保持基于激光的切断条件。其结果为，格子的窗10几乎全被层间膜7a填埋。格子5的上部表面5a由于层间膜7被去除而在开口区域9的底部9b露出。因此，格子的上部表面5a与氮化硅膜6相接。接着，对借助激光来切断熔断元件3的方法进行说明。为了切断熔断元件3，以如下方式控制激光11：从形成有半导体装置的半导体衬底的背面照射用于切断熔断元件3的激光11，对激光11聚光使聚光点到达熔断元件。如果设激光的频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有借助激光进行切断的熔断元件，该半导体装置具有：半导体衬底；场绝缘膜，其设置于所述半导体衬底的正面；熔断元件，其设置于所述场绝缘膜之上；中间绝缘膜，其覆盖所述熔断元件的侧面和上表面；金属的格子，其设置于所述中间绝缘膜之上并覆盖所述熔断元件；层间膜，其设置于所述格子的周围；开口区域，其设置于所述层间膜并具有侧面和底部；以及氮化硅膜，其覆盖所述开口区域的正面。

【技术特征摘要】
2015.03.12 JP 2015-049782;2016.01.18 JP 2016-007331.一种半导体装置，其具有借助激光进行切断的熔断元件，该半导体装置具有：半导体衬底；场绝缘膜，其设置于所述半导体衬底的正面；熔断元件，其设置于所述场绝缘膜之上；中间绝缘膜，其覆盖所述熔断元件的侧面和上表面；金属的格子，其设置于所述中间绝缘膜之上并覆盖所述熔断元件；层间膜，其设置于所述格子的周围；开口区域，其设置于所述层间膜并具有侧面和底部；以及氮化硅膜，其覆盖所述开口区域的正面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述氮化硅膜与所述格子的上表面相接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述氮化硅膜和所述中间绝缘膜之间具有以围绕所述格子的方式设置的多孔质的绝缘膜。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述氮化硅膜在所述层间膜之上的所述开口区域的所述侧面和所述底部具有相同厚度。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述格子具有矩形的窗，所述矩形的窗的长边的长度比所述激光的波长短。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述窗集中地配...

【专利技术属性】
技术研发人员：井村行宏，木村吉孝，秋野胜，
申请(专利权)人：精工半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP