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本发明提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置具有能够借助激光进行切断的熔断元件且具有耐腐蚀性。以从半导体衬底的背面照射的激光在熔断元件上聚光而能够进行发热、膨胀、破裂的方式，在熔断元件的上部隔着金属的格子和留在其间的层间膜配置有氮化硅膜...
该专利属于精工半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工半导体有限公司授权不得商用。

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