半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底与支持衬底分离的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是形成包括半导体衬底、第1接着剂层、第2接着剂层、及支持衬底的接着体者，且以第1接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第1方向延伸的脆弱部，沿在支持衬底的平面上与第1方向交叉的第2方向剥离支持衬底。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2014-188526号(申请日：2014年9月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
实施方式的专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
在使硅晶片等半导体衬底变薄的步骤，或在半导体衬底的平面的一部分形成电路图案的步骤，进而在半导体衬底形成TSV(Through Silicon Via，硅通孔)等贯通电极的步骤等半导体衬底的加工步骤中，已知有如下方法，即为了提高半导体衬底的加工面的平坦性，在已矫正翘曲的状态下使用接着剂贴合半导体衬底与支持衬底而对半导体衬底进行加工。在对半导体衬底进行加工后，需要将半导体衬底与支持衬底分离。作为将半导体衬底与支持衬底分离的方法而考虑例如如下方法，即，使用治具等沿垂直方向牵拉半导体衬底或支持衬底而将半导体衬底与支持衬底分离。然而，贴合所使用的接着剂对半导体衬底及支持衬底的接着强度较高，因此即便沿垂直方向牵拉半导体衬底或支持衬底亦难以将半导体衬底与支持衬底分离。此外，作为将半导体衬底与支持衬底分离的方法，考虑一面使半导体衬底或支持衬底弯曲一面进行剥离的方法。由于加工后的半导体衬底非常薄，如果使半导体衬底弯曲则该半导体衬底容易破损，故而较佳为一面使支持衬底弯曲一面进行剥离。然而，由于支持衬底的刚性较高，故而难以一面使支持衬底弯曲一面进行剥离。
技术实现思路
实施方式的专利技术所欲解决的问题是一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底
与支持衬底分离。实施方式的半导体装置的制造方法是形成接着体者，该接着体包括：半导体衬底；第1接着剂层，其以覆盖半导体衬底的平面的一部分的方式接着在半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖第1接着剂层的方式接着在半导体衬底，且具有较第1接着剂层高的对半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着第1接着剂层及第2接着剂层而与半导体衬底对向的方式接着在第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是以第1接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第1方向延伸的脆弱部，且沿在支持衬底的平面上与第1方向交叉的第2方向剥离支持衬底，由此将支持衬底与半导体衬底分离。附图说明图1是表示半导体装置的制造方法例的流程图。图2是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图3是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图4是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图5是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图6是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图7是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图8是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图9是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图10是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图11是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图12是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图13是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图14是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图15是用以说明半导体装置的制造方法例的图。图16是用以说明半导体装置的制造方法例的图。具体实施方式以下，参照图式对实施方式进行说明。另外，图式为示意图，例如厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比例等存在与实际情况不同的情况。此外，在各实施方式中，对实质上相同的构成要素标注相同符号并省略说明。(第1实施方式)图1是表示半导体装置的制造方法例的流程图。图1所示的半导体装置的制造方法例至少包括半导体衬底加工步骤(S1-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、脆弱部形成步骤(S1-4)、分离步骤(S1-5)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)。另外，各步骤的顺序并不限定于图1所示的顺序。进而，参照图2至图10对所述步骤进行说明。图2至图10是用以说明半导体装置的制造方法例的图。在半导体衬底加工步骤(S1-1)中，如图2所示，形成接着体而对半导体衬底1进行加工，该接着体包括半导体衬底1、半导体元件2、接着剂层3、接着剂层4、及支持衬底5。半导体衬底1的加工并无特别限定，作为加工例，可列举例如在厚度方向上对半导体衬底1的一部分进行磨削的薄化步骤、或在半导体衬底1的平面的一部分形成电路图案的电路图案形成步骤、及形成贯通半导体衬底1的TSV等贯通电极的贯通电极形成步骤等。此外，在图2中图示在形成半导体元件2之后对半导体衬底1进行加工的例，但并不限定于此，亦可在形成半导体元件2之前对半导体衬底1进行加工。半导体衬底1是经过半导体衬底加工步骤(S1-1)而获得的半导体衬底。例如，经过薄化步骤而获得的半导体衬底1的厚度例如为50μm以上且100μm以下。此外，经过电路图案形成步骤而获得的半导体衬底1具有设置在平面的一部分的电路图案。另外，亦可在电路图案形成步骤中形成半导体元件2。进而，经过贯通电极形成步骤而获得的半导体衬底1具有贯通半导体衬底1的贯通电极。半导体衬底1包括例如单晶硅衬底等硅衬底。由于硅衬底容易形成贯通电极或容易进行薄化等加工，故而较佳。另外，半导体衬底1的平面形状例如为圆形或矩形状。此处，对使用具有圆形的平面形状的半导体衬底1的情况进行说明。此外，亦可将例如蓝宝石衬底、砷化镓衬底等用作半导体衬底1。半导体元件2设置在半导体衬底1的平面的一部分。作为半导体元件2，例如既可设置电晶体等，此外可设置NAND(Not AND，反及)快闪记忆体的记忆体元件等。另外，并非必须在接着体设置半导体元件2。接着剂层3是以覆盖半导体元件2的方式接着在半导体衬底1。即，接着剂层3是以覆盖半导体衬底1的平面的一部分的方式接着在半导体衬底1。作为接着剂层3，可使用例如脂膏状的油脂等可通过表面张力而接着的液状材料，例如可使用烃是树脂等。接着剂层4是以覆盖接着剂层3的方式接着在半导体衬底1。此时，例如通过以覆盖半导体衬底1的平面及侧面的方式设置接着剂层4，而可抑制半导体衬底1在加工时或搬送时的破损。接着剂层4对半导体衬底1的接着强度，较佳为高于接着剂层3对半导体衬底1的接着强度。接着强度为可通过例如基于JIS(Japanese Industrial Standards，日本工业标准)规格的剥离试验等而测定的值。作为接着剂层4，例如可使用以丙烯酸是树脂、烃是树脂(聚环烯烃树脂、萜烯树脂、石油树脂等)、酚醛清漆型的酚树脂等作为主成分的接着剂的一种或混合使用复数种。接着剂层4例如是通过使用旋转涂布机等涂布装置一面使半导体衬底1或支持衬底5旋转一面将材料涂布在半导体衬底1或支持衬底5的表面而形成。通过所述方法，可形成例如5μm以上且100μm以下的厚度均匀的接着剂层4。另外，亦可使用能应用在接着剂层4的形成的方法来形成接着剂层3。支持衬底5是以隔着接着剂层3及接着剂层4而与半导体衬底1对向的方式接着在接着剂层4。支持衬底5的厚度是根据材质或所要求的强度而适当设定。支持衬底5的侧面通过进行倒角等而形成为曲面，但并不限定于此。支持衬底5的平面形状例如为圆形或矩形状。此处，对使用具有圆形的平面形状的支持衬底5的情况进行说明。作为支持衬底5，可使用例如玻璃衬底、硅衬底、氧化铝衬底、碳化硅(SiC)衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：其是形成接着体的，该接着体包括：半导体衬底；第1接着剂层，其以覆盖所述半导体衬底的平面的一部分的方式接着在所述半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖所述第1接着剂层的方式接着在所述半导体衬底，且具有较所述第1接着剂层更高的对所述半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着所述第1接着剂层及所述第2接着剂层而与所述半导体衬底对向的方式接着在所述第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是：以使所述第1接着剂层的周缘部露出的方式去除所述支持衬底的一部分与所述第2接着剂层的一部分；自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面在厚度方向去除所述支持衬底的一部分；至少在所述支持衬底的一部分形成沿所述支持衬底的第1方向延伸的脆弱部；沿在所述支持衬底的平面上与所述第1方向交叉的第2方向剥离所述支持衬底。

【技术特征摘要】
2014.09.17 JP 2014-1885261.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：其是形成接着体的，该接着体包括：半导体衬底；第1接着剂层，其以覆盖所述半导体衬底的平面的一部分的方式接着在所述半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖所述第1接着剂层的方式接着在所述半导体衬底，且具有较所述第1接着剂层更高的对所述半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着所述第1接着剂层及所述第2接着剂层而与所述半导体衬底对向的方式接着在所述第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是：以使所述第1接着剂层的周缘部露出的方式去除所述支持衬底的一部分与所述第2接着剂层的一部分；自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面在厚度方向去除所述支持衬底的一部分；至少在所述支持衬底的一部分形成沿所述支持衬底的第1方向延伸的脆弱部；沿在所述支持衬底的平面上与所述第1方向交叉的第2方向剥离所述支持衬底。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：友野章，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP