半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术关于半导体装置的制造装置及制造方法。本实施方式的半导体装置的制造装置具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。另外，本实施方式的半导体装置的制造方法包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具有凸部的接点的步骤；将带贴附在所述第二面的步骤；以及通过使所述带的弹性模数增加，并拉开所述半导体晶片与所述衬底的距离，而将所述衬底剥离的剥离步骤。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-86155号(申请日：2015年4月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置的制造装置及制造方法。
技术介绍
半导体晶片被单片化为半导体芯片。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种使半导体装置的制造容易的半导体装置的制造装置及制造方法。本实施方式的半导体装置的制造装置具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。另外，本实施方式的半导体装置的制造方法包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具有凸部的接点的步骤；将带贴附在所述第二面的步骤；以及通过使所述带的弹性模数增加，并拉开所述半导体晶片与所述衬底的距离，而将所述衬底剥离的剥离步骤。附图说明图1是说明第一实施方式的半导体装置的制造装置及半导体制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造装置，其特征在于具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。

【技术特征摘要】
2015.04.20 JP 2015-0861551.一种半导体装置的制造装置，其特征在于具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及冷却部，能够冷却所述带。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：所述冷却部能够将所述平台冷却至10度以下为止。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：还具有通过在所述衬底与所述半导体晶片之间插入其前端部能够将所述衬底剥离的辅具。4.一种半导体装置的制造装置，其特征在于具有：平台，保持与具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面的半导体晶片的所述第二面附着的带；真空机构，吸附在附着设置在所述第一面的衬底的上方；驱动部，将所述真空机构向远离所述衬底的方向驱动；以及光照射部，能够对所述带照射光。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：所述光照射部照射紫外线。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：还具有通过在所述衬底与所述半导体晶片之间插入其前端部能够将所述衬底剥离的辅具。7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：对具有第一面及与所述第一面对向的第二面的半导体晶片，将衬底粘贴在所述第一面的步骤；贯通所述半导体晶片，在所述第二面形成具...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中润，志摩真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP