探头、半导体检查装置及它们的制造方法、半导体检查及制造方法制造方法及图纸

一种探头、半导体检查装置及它们的制造方法、半导体检查及制造方法。根据一实施方式，探头具备探针和磁性体层。探针具有第1端部及第2端部，能够在第2端部与半导体装置的电极接触。磁性体层在探针中的第1端部与第2端部之间的至少一部分的范围中遍及整周地将探针覆盖。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请基于2015年04月17日提出申请的日本专利申请2015－085490号主张优先权，这里通过引用包含其全部内容。
这里说明的本专利技术的实施方式一般涉及探头、半导体检查装置、探头的制造方法、半导体检查装置的制造方法、半导体检查方法及半导体制造方法。
技术介绍
当检查半导体装置的电气特性时，在半导体装置的外部电极上连接半导体检查装置的探头，从探头向半导体装置输入检查用的电气信号。此时，有发生由半导体装置或半导体检查装置的寄生电容或悬浮电容引起的电气信号的振荡(即噪声)的情况。通过发生噪声，有半导体装置被破坏或不能得到希望的检查结果的情况。
技术实现思路
技术方案提供一种在使用探头的半导体装置的检查时能够减少噪声的发生的探头、半导体检查装置、探头的制造方法、半导体检查装置的制造方法、半导体检查方法及半导体制造方法。一技术方案的探头具备探针和磁性体层。探针具有第1端部及第2端部，能够在第2端部与半导体装置的电极接触。磁性体层在探针中的第1端部与第2端部之间的至少一部分的范围中遍及整周地将探针覆盖。根据上述结构的探头，能够提供一种能够减少噪声的发生的探头。附图说明图1是表示第1实施方式的半导体检查装置的块图。图2是表示图1的半导体检查装置的探头的立体图。图3是图1的半导体检查装置的探头的探针的剖视图。图4是表示图1的半导体检查装置的检查设备的一例的等价电路图。图5A是通过使用第1实施方式的探头的L负载试验得到的示意性的波形图，图5B是通过使用比较例的探头的L负载试验得到的示意性的波形图。图6A是表示第1实施方式的半导体检查装置的探针的形成过程的探针的剖视图，图6B是表示向探针的基底处理工序的剖视图，图6C是表示向探针的磁性体的喷镀工序的剖视图，图6D是表示磁性体的固化工序的剖视图。图7是表示第2实施方式的探头的主视图。图8A是表示第3实施方式的探头的立体图，图8B是图8A的平面图。图9是图8A的IX－IX剖视图。具体实施方式以下，参照附图说明有关本专利技术的实施方式。在以下的实施方式中，以半导体检查装置的特征性的结构及动作为中心进行说明，但在半导体检查装置中可能存在在以下的说明中省略的结构及动作。这些省略的结构及动作也包含在本实施方式的范围中。(第1实施方式)(半导体检查装置1)首先，作为第1实施方式，对应用了具备弹簧性的探针的实施方式进行说明。图1是表示第1实施方式的半导体检查装置1的块图。图2是表示图1的半导体检查装置1的探头11的立体图。图3是图1的半导体检查装置1的探头11的探针111的剖视图。本实施方式的半导体检查装置1例如可以在半导体装置2的制造工序(半导体制造方法)的检查工序中为了检查半导体装置2的电气特性而使用。另外，在图1中，半导体装置2是具有栅极G、漏极D及源极S这3个电极(端子)的导电型为n型的MOS晶体管(nMOSFET)。半导体装置2也可以是导电型为p型的MOS晶体管(pMOSFET)，或者也可以是MOS晶体管以外的半导体装置。以下，将半导体装置2也称作MOS晶体管2。如图1及图2所示，半导体检查装置1具备探头11、电线12、作为检查装置的检查设备13、铁素体芯14和移动装置15(参照图2)。另外，在图1中省略了移动装置15。如图1～图3所示，探头11具备第1～第3探针111_G、111_D、111_S、磁性体层112和固定部件113(参照图2)。第1～第3探针111_G、111_D、111_S在排列方向D1上隔开间隔排列。另外，在图1中，示意性地记载为第1探针111_G与第2探针111_D的间隔较窄、第2探针111_D与第3探针111_S的间隔较宽，但这些间隔也可以与MOS晶体管2的各电极间的间隔相同(参照图2)。此外，在图3中，代表性地图示了第1探针111_G及磁性体层112的截面，但第2及第3探针111_D、S的截面也与图3是同样的。(探针111_G、D、S)如图1及图2所示，各探针111_G、D、S分别具有第1端部E1及第2端部E2。如图3所示，第2端部E2的端面EF2是平坦的。端面EF2没有被磁性体层112覆盖而露出。第1探针111_G能够在端面EF2与MOS晶体管2的栅极G接触(连接)。第2探针111_D能够在端面EF2与MOS晶体管2的漏极D接触。第3探针111_S能够在端面EF2与MOS晶体管2的源极S接触。探针111_G、D、S也可以称作电极或接触电极。第2端部E2也可以称作前端部。另一方面，各探针111_G、D、S的第1端部E1的端面EF1也与第2端部E2的端面EF2同样没有被磁性体层112覆盖。与各探针111_G、D、S分别对应的多个电线12在各电线12的一端连接于第1端部E1的端面EF1。各电线12的另一端连接在检查设备13上。各探针111_G、D、S具备能够将第2端部E2向MOS晶体管2的电极G、D、S推压的弹簧性。图2及图3的D2方向表示第2端部E2向MOS晶体管2的电极G、D、S的推压方向。如后述那样，第2端部E2的推压通过移动装置15使探针111_G、D、S向推压方向D2移动来实现。此外，如图2所示，各探针111_G、D、S具有包含第1端部E1的第1部分1111_G、D、S、和包含第2端部E2的第2部分1112_G、D、S。第1部分1111_G、D、S在与排列方向D1及推压方向D2正交的方向D3上延伸。第2部分1112_G、D、S在图3中用虚线表示的与第1部分1111_G、D、S的边界b处与第1部分1111_G、D、S相连。此外，第2部分1112_G、D、S相对于第1部分1111_G、D、S向推压方向D2弯曲。具体而言，各探针111_G、D、S的第2部分1112_G、D、S随着朝向第2端部E2侧而弯曲，以向推压方向D2侧倾斜。另外，各探针111_G、D、S也可以是推压方向D2的尺寸(厚度)比排列方向D1的尺寸(宽度)小，以使各探针111_G、D、S容易向推压方向D2挠曲。各探针111_G、D、S隔开与MOS晶体管2的电极G、D、S的排列间隔对应的排列间隔，固定在固定部件113上。具体而言，各探针111_G、D、S的排列间隔与MOS晶体管2的电极G、D、S的排列间隔相同。为了将各探针111_G、D、S间绝缘，固定部件113例如由树脂等的绝缘性的材料形成。通过探针111_G、D、S具备弹簧性，能够利用弹簧性使探针111_G、D、S的端面EF2稳定地与MOS晶体管2的电极G、D、S接触。通过使端面EF2稳定地与电极G、D、S接触，能够适当地检查MOS晶体管2。此外，通过具有第2部分1112_G、D、S，各探针111_G、D、S能够使端面EF2更稳定地与MOS晶体管2的电极G、D、S接触。另外，各探针111_G、D、S的个数可以是各1个，或者也可以是各多个(例如两个)。即，探针111_G、D、S的合计数是3个或比3个多的数量。通过将各探针111_G、D、S分别各设置多个，能够使多个探针(例如多个第1探针111_G)与MOS晶体管2的1个电极(例如栅极G)同时接触。通过使多个探针同时与1个电极接触，能够减小探针与MOS晶体管2的电极的接触电阻(损失)。由于能够减小接触电阻，所以能够抑制探针111_G、D、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探头，其特征在于，具备：探针，具有第1端部及第2端部，在上述第2端部能够与半导体装置的电极接触；以及磁性体层，在上述探针中的上述第1端部与上述第2端部之间的至少一部分的范围中，遍及整周地将上述探针覆盖。

【技术特征摘要】
2015.04.17 JP 2015-0854901.一种探头，其特征在于，具备：探针，具有第1端部及第2端部，在上述第2端部能够与半导体装置的电极接触；以及磁性体层，在上述探针中的上述第1端部与上述第2端部之间的至少一部分的范围中，遍及整周地将上述探针覆盖。2.如权利要求1所述的探头，其特征在于，上述第2端部侧的上述磁性体层的端面包含与上述第2端部的端面同面的部分。3.如权利要求1或2所述的探头，其特征在于，上述探针具备能够将上述第2端部向上述半导体装置的电极推压的弹簧性。4.如权利要求1或2所述的探头，其特征在于，上述探针具备：螺旋弹簧；主体部，包括上述第1端部，与上述螺旋弹簧的一端连接；以及可动部，包括上述第2端部，与上述螺旋弹簧的另一端连接；上述可动部具备：第1可动部，被上述螺旋弹簧包围；以及第2可动部，与上述第1可动部相连，上述第1端部与上述第2端部之间的至少一部分的范围是上述主体部和上述第2可动部。5.如权利要求1或2所述的探头，其特征在于，上述探针隔开与上述半导体装置的电极的排列间隔对应的间隔而设有多个，在上述探针之间设有绝缘体，上述第1端部与上述第2端部之间的至少一部分的范围是设有上述绝缘体的部分以外的部分。6.如权利要求3所述的探头，其特征在于，上述第2端部侧的规定范围中的磁性体层的厚度比上述第1端部侧的
\t厚度厚。7.一种半导体检查装置，其特征在于，具备：探头，具备具有第1端部及第2端部且在上述第2端部能够与半导体装置的电极接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：簾尾敏章，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP