金属通孔电阻的测试结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种金属通孔电阻的测试结构，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条；待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。本实用新型专利技术提供的测试结构能够精确测量多层结构晶片中待测金属通孔的电阻值，从而准确判断和分析出晶片结构中顶层金属层和顶层下方的金属层之间的电路导通情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路
，特别涉及金属通孔电阻的测试结构。
技术介绍
随着技术发展，集成电路内包含的晶体管等半导体器件的数目逐步增多。为将半导体器件连接起来，集成电路内通常设置有多个金属层，金属通孔用于多个金属层之间实现电路导通。随着集成电路包含半导体器件数目的增加，金属层数也逐渐增加，使得各金属层间金属通孔的电阻成为了决定电路性能的重要因素。测量金属通孔电阻的原理通常是：采用测量结构，在制作集成电路时，将测量结构制作于集成电路中，然后通过测量测量结构的电阻，来最终得到金属通孔的电阻。目前业界常采用开尔文(Kelvin)四端测量法测量金属通孔的电阻，然而，现有的四端开尔文结构中因金属层间易产生额外电流回路，导致其测试精度不高，不能准确测量金属通孔的电阻。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提高对金属通孔电阻的测量精确度，从而准确的判断和分析出晶片结构中，顶层金属层和顶层下方的金属层之间的电路导通情况。为解决上述技术问题，本技术提供的金属通孔电阻的测试结构，包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属通孔电阻的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条，所述第一金属块组的第N层金属块与所述第三金属块组的第N层金属块通过所述第N层桥接金属条连接，所述第二金属块组的顶层金属块与所述第四金属块组的顶层金属块通过所述顶层桥接金属条连接；以及待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。

【技术特征摘要】
1.一种金属通孔电阻的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条，所述第一金属块组的第N层金属块与所述第三金属块组的第N层金属块通过所述第N层桥接金属条连接，所述第二金属块组的顶层金属块与所述第四金属块组的顶层金属块通过所述顶层桥接金属条连接；以及待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一金属块组中的至少部分上下相邻的金属块通过金属通孔连通。3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第二金属块组和/或所述第四金属块组中的至少部分上下相邻的金属块通过金属通孔连通。4.如权利要求1所述的测试结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐俊杰，张前江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12