金属互连结构的电阻模拟方法技术

一种金属互连结构的电阻模拟方法，包括：选定第一类互连结构，所述第一类互连结构具有碟形凹陷；测算方块电阻值Ｒｓｈ；选定第二类互连结构，所述第二类互连结构具有碟形凹陷，第二类互连结构与第一类互连结构的材料相同，宽度小于第一类互连结构的宽度，根据公式（１）计算ＤＷ的数值；根据公式（２）计算ＤＷＤＩＳＨ的值；根据公式（３）以及计算出的ＤＷ，ＤＷＤＩＳＨ，Ｒｓｈ值。所述方法可以比较准确的模拟不同宽度的铜互连电阻。

Resistance simulation method for metal interconnection structure

A resistance simulation method for metal interconnection structure, including: the first selected interconnect structures has the first interconnect structure saucerization; measure the square resistance value of Rsh; selected second types of interconnection structure, interconnection structure of the second class is dishing, second types of interconnection structure and the first interconnection structure of the same material first, a width of less than the width of interconnect structures, according to the formula (1) to calculate the value of DW; according to the formula (2) DWDISH is calculated according to the formula (3); and the calculated DW, DWDISH, Rsh. The method allows accurate simulation of copper interconnect resistances of different widths.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属互连结构的电阻模拟方法，包括如下步骤：　选定第一类互连结构，所述第一类互连结构具有碟形凹陷；　测算方块电阻值Ｒｓｈ；　选定第二类互连结构，所述第二类互连结构具有碟形凹陷，第二类互连结构与第一类互连结构的材料相同，宽 度小于第一类互连结构的宽度，根据公式Ｒ＝Ｒｓｈ.Ｌ／（Ｗ－ＤＷ）.Ｎ计算ＤＷ的数值，其中Ｌ为第二类互连结构的长度，Ｗ为第二类互连结构的宽度，ＤＷ为第二类互连结构宽度的修正值，Ｎ为所述第二类互连结构的方块数，等于Ｌ／Ｗ；　根据公式　 　ＤＷＤＩＳＨ＝（１Ｅ６.Ｗ↑［２］.ＰＲＡＴＩＯ.ｄｔ＋Ｒ↓［ｄｉｓｈ］↑［２］ｓｉｎ↑［－１］（Ｗ／２Ｒ↓［ｄｉｓｈ］）－Ｗ／２＊＊＊／ｔ计算ＤＷＤＩＳＨ的值，其中，Ｗ为第一类互连结构的宽度，ｔ为第一类互连结构的深度，ｄｔ为化学机械抛光掉的具有碟形凹陷的第一类互连结构与不具有碟形凹陷的互连结果的深度差，Ｒｄｉｓｈ为碟形凹陷的半径，Ｐｒａｔｉｏ为化学机械抛光工艺中第一类互连结构的金属材料与第一类互连结构相邻的介质层的抛光速率之比；　根据公式Ｒ＝Ｒｓｈ.Ｌ／（Ｗ－ＤＷ－ ＤＷＤＩＳＨ）.Ｎ，以及计算出的ＤＷ，ＤＷＤＩＳＨ，Ｒｓｈ值，计算不同Ｌ和Ｗ的第一类互连结构的电阻值，其中Ｌ为第一类互连结构的长度，Ｗ为第一类互连结构的宽度，Ｎ为所述第一类互连结构的方块数，等于Ｌ／Ｗ。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭兴伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]