【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、集成电路已从在单个硅片上制造的几个互连器件发展到数百万个器件。现在的集成电路所提供的性能和复杂程度远远超出开始时的想象。为了在复杂程度和电路密度(即给定的芯片面积上可封装的器件数目)上取得提高，最小的器件线宽的尺寸，也称为器件的“几何尺寸”，已随着集成电路的每一代变得越来越小。
2、增大电路密度不仅提高了集成电路的复杂程度和性能，而且还向消费者提供了更低成本的部件。通过使集成电路的单个器件更小，就可以在每块晶片上制造更多的器件，从而增大制造设备的产量。
3、但是随着技术节点的推进、特征尺寸的减小，集成电路制造过程中所产生的电荷积累问题越来越严重，越来越容易出现芯片功能损坏的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何减少半导体工艺过程中产生的电荷积累，减少电荷放电造成的芯片功能损坏。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底；对所述基底进行重等离子体处理；对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理。
3、可选的，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，以200nm至400nm的紫外光照射经重等离子体处理的基底。
4、可选的，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，照射时间为150秒至300秒范围内。
5、可选的，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，重等离子体处理的射频功率
6、可选的，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，所述重等离子体处理包括：等离子体刻蚀。
7、可选的，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，以等离子体刻蚀在所述基底内形成开口，所述开口的宽度在0.5μm以内，或者相邻开口之间的距离在0.5μm以内。
8、可选的，形成基底的步骤包括：提供衬底；在所述衬底上形成连接件，所述连接件垂直所述衬底表面；以等离子体刻蚀在所述基底内形成开口的步骤中，所述开口位于所述连接件正上方。
9、可选的，所述连接件位于栅极结构上的位置和源漏区上的位置中的一个。
10、可选的，形成基底的步骤还包括：在所述衬底上形成连接件之后，在所述连接件上进行预设工艺处理，所述预设工艺处理的制程中使用到等离子体。
11、可选的，在所述连接件上进行预设工艺处理的步骤包括：在所述连接件上形成材料层。
12、可选的，所述材料层的材料为介质材料。
13、可选的，还包括：将经紫外照射处理的基底设置于至少1个金属接触点上。
14、可选的，对所述基底进行重等离子体处理的步骤与对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤在同一机台中进行。
15、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
16、本专利技术技术方案中，对所述基底进行重等离子体处理之后，对所述基底进行紫外照射处理。对所述基底进行重等离子体处理会使基底表面产生电荷积累，而紫外照射处理过程中，电荷能够吸收能量变成光电流湮灭，以去除积累电荷，即所述紫外照射处理能够有效释放半导体工艺过程中产生的电荷积累，能够减少电荷放电造成的芯片功能损坏；此外，以紫外照射处理去除积累电荷的做法，无需改变现有工艺的主要流程，而且成本低廉常见，也不会引入其他的工艺风险。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，以200nm至400nm的紫外光照射经重等离子体处理的基底。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，照射时间为150秒至300秒范围内。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，重等离子体处理的射频功率的频率在1MHz至100MHz范围内。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，所述重等离子体处理包括：等离子体刻蚀。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，以等离子体刻蚀在所述基底内形成开口，所述开口的宽度在0.5μm以内，或者相邻开口之间的距离在0.5μm以内。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤包括：
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤还包括：
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，在所述连接件上进行预设工艺处理的步骤包括：在所述连接件上形成材料层。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述材料层的材料为介质材料。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤与对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤在同一机台中进行。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，以200nm至400nm的紫外光照射经重等离子体处理的基底。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对经重等离子体处理的基底进行紫外照射处理的步骤中，照射时间为150秒至300秒范围内。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，重等离子体处理的射频功率的频率在1mhz至100mhz范围内。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，所述重等离子体处理包括：等离子体刻蚀。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，对所述基底进行重等离子体处理的步骤中，以等离子体刻蚀在所述基底内形成开口，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱宏亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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